TLC77xx 系列微電源電壓監(jiān)控器主要在微計(jì)算機(jī)和微處理器系統(tǒng)中提供復(fù)位控制。

上電期間，當(dāng) VDD 系列達(dá)到 1 V。最小 V 后 DD 系列 （≥ 2 V）建立時(shí)，電路會監(jiān)控 SENSE 電壓，并在 SENSE 電壓 （V I（感） ） 保持在閾值電壓以下。一個(gè)內(nèi)部定時(shí)器延遲輸出返回到非活動狀態(tài)，以確保系統(tǒng)正確復(fù)位。
*附件：tlc7733m.pdf

除了 TLC7701 可以通過兩個(gè)外部電阻器進(jìn)行定制外，每個(gè)監(jiān)控器都有一個(gè)由內(nèi)部分壓器設(shè)置的固定檢測閾值電壓。當(dāng) SENSE 電壓降至閾值電壓以下時(shí)，輸出變?yōu)橛行Р⒈３衷摖顟B(tài)，直到 SENSE 電壓返回高于閾值電壓和延遲時(shí)間 td已過期。

除了上電復(fù)位和欠壓監(jiān)控器功能外，TLC77xx 還增加了對靜態(tài) RAM 的斷電控制支持。當(dāng) CONTROL 連接到 GND 時(shí)，RESET 將充當(dāng)高電平有效。電壓監(jiān)視器包含額外的 logic ，用于在電源故障期間通過備用電池控制靜態(tài)存儲器。通過使用 TLC77xx 的 RESET 輸出驅(qū)動存儲電路的片選 （CS） 和由微處理器的存儲區(qū)選擇信號 （CSH1） 驅(qū)動的 CONTROL，存儲電路在斷電期間自動禁用。（在此應(yīng)用中，TLC77xx 電源必須由電池供電。

TLC77xxI 的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 85°C;TLC77xxQ 的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C;TLC77xxM 的特性是在 –55°C 至 125°C 的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作。

3×3 mm DRB 封裝也可作為非磁性封裝用于醫(yī)學(xué)成像應(yīng)用。

特性

• 上電復(fù)位發(fā)生器
• 電壓下降后自動生成復(fù)位
• 精密電壓傳感器
• 溫度補(bǔ)償電壓基準(zhǔn)
• 通過外部電容器實(shí)現(xiàn)可編程延遲時(shí)間
• 電源電壓范圍 . . .2 V 至 6 V
• 定義的 V 的 RESET 輸出 DD 系列 ≥ 1 V
• 對具有備用電池的靜態(tài) RAM 的掉電控制支持
• 最大電源電流為 16 μA
• 節(jié)能圖騰柱輸出
• 溫度范圍 . . .高達(dá) –55°C 至 125°C

參數(shù)

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TLC7733M 微功率電源電壓監(jiān)視器
• ?功能?：提供復(fù)位控制，主要用于微計(jì)算機(jī)和微處理器系統(tǒng)，監(jiān)測電源電壓并在電壓異常時(shí)觸發(fā)復(fù)位信號。

2. 主要特性

• ?電源電壓范圍?：2V 至 6V
• ?固定閾值電壓?：2.93V（由內(nèi)部電壓分壓器設(shè)定）
• ?可編程延遲時(shí)間?：通過外部電容器設(shè)定復(fù)位延遲時(shí)間
• ?低供電電流?：最大16μA
• ?溫度范圍?：-55°C 至 125°C（軍事級溫度范圍）
• ?封裝選項(xiàng)?：包括DRB、DIP、SOIC等多種封裝

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?醫(yī)療成像?
• ?其他需要微功率電源電壓監(jiān)視的場合?

4. 功能描述

• ?上電復(fù)位?：當(dāng)電源電壓V_DD達(dá)到1V時(shí)，RESET信號被激活。
• ?欠壓監(jiān)視?：當(dāng)SENSE電壓（V_I(SENSE)）低于閾值電壓時(shí)，復(fù)位輸出保持激活狀態(tài)。
• ?自動復(fù)位?：在電源電壓下降后，當(dāng)SENSE電壓重新上升到閾值電壓以上并經(jīng)過設(shè)定的延遲時(shí)間后，復(fù)位輸出返回非激活狀態(tài)。
• ?靜態(tài)RAM電源控制?：支持帶有電池備份的靜態(tài)RAM的電源控制。

5. 電氣特性

• ? 高電平輸出電壓（V_OH） ?：在V_DD = 4.5V時(shí)，最小值為3.7V
• ? 低電平輸出電壓（V_OL） ?：在V_DD = 4.5V時(shí)，最大值為0.5V
• ? 輸入閾值電壓（V_IT–） ?：2.86V 至 3.1V（在-55°C至125°C溫度范圍內(nèi)）
• ? 供電電流（I_DD） ?：在V_DD = 5V且C_T = 0時(shí)，典型值為16μA
• ? 延遲時(shí)間（t_d） ?：由外部電容器C_T決定，公式為t_d = 2.1 × 10^4 × C_T

6. 封裝與尺寸

• ?DRB封裝?：3x3mm，非磁性選項(xiàng)適用于醫(yī)療成像應(yīng)用
• ?其他封裝?：包括DIP、SOIC等，具體尺寸和引腳配置詳見數(shù)據(jù)手冊