概述

ADL5545是一款單端RF/IF增益模塊放大器，可在30 MHz至6 GHz范圍內提供寬帶操作。采用5 V電源供電時，ADL5545功耗僅為56 mA，OIP3超過36dBm。

ADL5545具有24 dB增益，增益不隨頻率、溫度、電源、器件而變化。該放大器采用工業標準SOT-89封裝，在輸入和輸出內部匹配50 Ω，能夠簡單地使用于各種不同的應用中。所需的外部元件只有輸入/輸出交流耦合電容、電源去耦電容和直流偏置電感。

ADL5545采用InGaP HBT工藝制造而成，ESD額定值為±1.5 kV（1C類）。額定溫度范圍為?40℃至+105℃的寬溫度范圍，并提供配置齊全且符合RoHS標準的評估板。
數據表：*附件：ADL5545 30MHz至6GHz RF IF增益模塊技術手冊.pdf

特性

• 固定增益：24.1 dB
• 在30 MHz至6 GHz范圍內提供寬帶操作
• 輸入/輸出內部匹配50 ?
• 集成偏置控制電路
• OIP3：36.4 dBm (900 MHz)
• P1dB：18.1 dBm (900 MHz)
• 噪聲系數：2.9 dB (900 MHz)
• 5V單電源供電
• 低靜態電流：56 mA
• 寬工作溫度范圍：-40℃至+105℃
• 高效散熱型SOT-89封裝
• ESD額定值：±1.5 kV（1C類）

框圖

引腳配置和功能描述

典型性能特征

圖29顯示了操作ADL5545的基本連接。該器件支持30 MHz至6 GHz的工作頻率。然而，為了在較低和較高頻段獲得最佳性能，必須調整電路板配置。表5列出了器件在不同頻段下的推薦電路板配置。

5 V直流偏置通過連接到RFOUT(引腳3)的偏置導體提供給放大器。必須使用100 pF、1 nF和10 uF電源去耦電容對偏置電壓去耦。ADL5545的典型功耗為56 mA。
在低頻和高頻下，采用表5所列的建議設置配置，該器件表現出更好的性能。圖30至圖33比較了器件在100 MHz至500 MHz和4 GHz至6 GHz頻段下以最佳設置配置和默認設置配置驅動時的性能。