概述
HMC930A是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)分布式功率放大器，工作頻率范圍為DC至40 GHz。 HMC930A提供13 dB增益、33.5 dBm輸出IP3和22 dBm輸出功率（1 dB增益壓縮），功耗為175 mA（采用10 V電源）。 HMC930A在8 GHz至32 GHz范圍內具有略正增益斜率，因而非常適合電子戰(zhàn)(EW)、電子對抗(ECM)、雷達和測試設備應用。 HMC930A放大器輸入/輸出(I/O)內部匹配50 ?，可輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。 所有數據均由通過最短0.31 mm (12 mils)的兩條0.025 mm (1 mil)線焊連接的芯片獲取。
數據表：*附件：HMC930A-DIE GaAs、pHEMT、MMIC、0.25W功率放大器，DC-40GHz技術手冊.pdf

特性

• 針對1 dB壓縮(P1dB)的高輸出功率： 22 dBm
• 高飽和輸出功率(PSAT)： 24 dBm
• 高增益： 13 dB
• 高輸出三階交調截點(IP3)： 33.5 dBm
• 電源電壓： 10 V (175 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 裸片尺寸： 2.82 mm × 1.50 mm × 0.1 mm

應用

• 測試儀器儀表
• 微波無線電和VSAT s
• 軍事與太空
• 電信基礎設施
• 光纖產品

框圖

引腳配置和功能
描述
接口示意圖

典型性能特征

HMC930A是一款GaAs、pHEMT、MMIC、級聯、分布式功率放大器。級聯分布式架構使用一個基本單元，該單元由從源極連接到漏極的兩個場效應晶體管(FET)的堆疊組成。基本單元的基本示意圖如圖35所示。基本單元被復制幾次，傳輸線分別連接頂部器件的漏極和底部器件的柵極。圍繞每個單元的額外電路設計技術優(yōu)化了整體響應。這種架構的主要優(yōu)點是在整個帶寬范圍內保持可接受的增益，遠遠大于單個基本單元通常提供的增益。為獲得HMC930A的最佳性能并避免損壞器件，請遵循“偏置程序”部分所述的推薦偏置序列。