在高頻電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用（如開關(guān)電源、逆變器、電機驅(qū)動）中，MDD整流橋的選型和設(shè)計直接影響系統(tǒng)效率和電磁兼容性（EMC）。高頻下的主要挑戰(zhàn)包括EMI（電磁干擾）控制和反向恢復(fù)時間（trr）優(yōu)化，如果處理不當(dāng)，會導(dǎo)致能量損耗、信號干擾、甚至器件損壞。MDD在本文探討高頻應(yīng)用下整流橋的EMI優(yōu)化策略及反向恢復(fù)時間的控制方案。
1.高頻應(yīng)用中整流橋的挑戰(zhàn)
（1）EMI問題
在高頻環(huán)境（>20kHz）下，整流橋的二極管在導(dǎo)通和關(guān)斷時會產(chǎn)生高頻開關(guān)噪聲，主要表現(xiàn)為：
共模噪聲：二極管開關(guān)瞬間產(chǎn)生的dv/dt效應(yīng)，通過寄生電容耦合到地，形成共模干擾。
差模噪聲：二極管反向恢復(fù)時的di/dt引起線路電流突變，形成差模干擾。
（2）反向恢復(fù)時間（trr）影響
在開關(guān)電源或高頻逆變器中，二極管在關(guān)斷時會有反向恢復(fù)電流，導(dǎo)致額外損耗和EMI問題。
傳統(tǒng)硅整流橋的trr通常較長（幾十到上百納秒），在高頻環(huán)境下易導(dǎo)致寄生振蕩和開關(guān)損耗增加。
trr越長，反向恢復(fù)損耗越大，導(dǎo)致MOSFET或IGBT的開關(guān)損耗上升，降低系統(tǒng)效率。
2.EMI優(yōu)化方案
（1）選用超快恢復(fù)或肖特基整流橋
?超快恢復(fù)整流橋（trr≤50ns）
適用于中等電壓（<600V）的高頻應(yīng)用，如PFC整流、開關(guān)電源輸出整流。
trr較短，減少反向恢復(fù)引起的EMI問題。
?肖特基整流橋（trr≈0ns）
適用于低壓高頻應(yīng)用（<200V），如DC-DC變換器。
由于無反向恢復(fù)過程，EMI影響極小，但耐壓較低。
（2）RC緩沖電路
?在整流橋兩端并聯(lián)RC吸收電路（如100Ω+1nF），用于抑制高頻噪聲。
?RC緩沖網(wǎng)絡(luò)可有效吸收dv/dt引起的瞬態(tài)電壓尖峰，減少EMI。
（3）優(yōu)化PCB布局
縮短整流橋至負(fù)載的走線，降低寄生電感。
增加地平面，減少共模噪聲的回流路徑。
使用低ESL（等效串聯(lián)電感）的陶瓷電容做旁路，降低高頻噪聲。
（4）屏蔽與濾波
**共模濾波器（如共模扼流圈）**降低高頻干擾。
屏蔽銅箔或金屬罩減少電磁輻射。
3.反向恢復(fù)時間（trr）控制方案
（1）選擇合適的二極管
?低trr超快恢復(fù)整流橋（UF系列）
適用于高頻AC-DC轉(zhuǎn)換，減少反向恢復(fù)損耗。
例如UF4007（trr≈75ns）適用于高壓整流，MB6S（trr≈50ns）適用于高頻橋式整流。
?SiC（碳化硅）二極管
trr接近0，適用于高壓高頻應(yīng)用（>600V），如光伏逆變器、PFC電路。
SiC二極管幾乎無反向恢復(fù)電流，可極大減少EMI和開關(guān)損耗。
（2）降低開關(guān)頻率
適當(dāng)降低開關(guān)頻率（如從100kHz降至50kHz），可減少di/dt變化速率，降低EMI影響。
但需要在EMI與效率之間權(quán)衡，避免影響功率密度。
（3）增加串聯(lián)電阻
在二極管陽極串聯(lián)小電阻（如10Ω），可減緩di/dt變化，降低反向恢復(fù)峰值電流，減少EMI。
但需注意功率損耗，適用于小電流應(yīng)用。
（4）優(yōu)化驅(qū)動電路
采用軟開關(guān)技術(shù)（如ZVS、ZCS），可降低di/dt，減少反向恢復(fù)損耗。
在PWM驅(qū)動MOSFET時，適當(dāng)調(diào)整死區(qū)時間，避免二極管反向恢復(fù)電流過大。
4.高頻整流橋的選型建議

5.結(jié)論
高頻應(yīng)用下，整流橋的EMI優(yōu)化和反向恢復(fù)控制是關(guān)鍵設(shè)計點。通過選擇低trr的二極管（如超快恢復(fù)、肖特基或SiC）、優(yōu)化PCB布局、增加緩沖電路，可以有效減少EMI和功率損耗，提升系統(tǒng)效率。工程師在選型時應(yīng)結(jié)合開關(guān)頻率、輸入電壓、功率等級，選擇最適合的整流橋方案，以保證系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性。