概述
ADPA9002 是一款砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT) 微波單片集成電路 (MMIC) 功率放大器，工作頻率范圍為直流至 10 GHz。該放大器可以提供 15 dB 的增益、42 dBm 的 OIP3 和 31.5 dBm 的飽和輸出功率 (P SAT )，只需要 12 V 的工作電壓和 385 mA 的工作電流。ADPA9002 在正常工作時自偏置，并具有可選偏置控制以進行電源靜態電流 (I DQ ) 調整。該放大器適用于軍用和航空航天以及測試設備應用。ADPA9002 還具有內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出，采用符合 RoHS 指令的 5 mm × 5 mm LFCSP 預制腔體封裝，與大批量表面貼裝技術 (SMT) 組裝設備兼容。

請注意，在整個數據手冊中，多功能引腳（例如 RFOUT/V DD ）可能使用引腳全稱或引腳的單一功能指代，例如 V DD （當僅與該功能相關時）。
數據表：*附件：ADPA9002 GaAs pHEMT MMIC單一正電源直流至10GHz功率放大器技術手冊.pdf

應用

• 軍用和航空航天
• 測試儀器儀表

特性

• OP1dB：29 dBm（典型值）
• 增益：高達 15 dB（典型值）
• OIP3：高達 43 dBm（典型值）
• 385 mA 時自偏置電壓 VDD= 12 V（典型值），VGG1~上提供可選偏壓控制以進行 IDQ調整
• 50 Ω 匹配輸入/輸出
• 32 引腳 5 mm × 5 mm LFCSP

框圖

引腳配置

接口示意圖

ADPA9002是一款GaAs MMIC pHEMT共源共柵分布式功率放大器。DPA9002的共源共柵分布式架構使用一個基本單元，由兩個場效應晶體管(FET)堆疊而成，上部FET的源極連接到下部FET的漏極。然后，基本單元被復制幾次，RFIN傳輸線互連下部fet的柵極，RFIN傳輸線互連上部fet的漏極。

每個單元都采用額外的電路設計技術來優化整體帶寬、輸出功率和噪聲系數。這種架構的主要優點是，在比單個基本單元提供的帶寬大得多的帶寬范圍內保持高輸出電平。這種架構的簡化示意圖如圖61所示。