概述
DS28E07是一款1024位、單線EEPROM芯片，分為四個(gè)存儲(chǔ)器頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256位。數(shù)據(jù)寫(xiě)入一個(gè)8字節(jié)的暫存區(qū)，經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，然后復(fù)制到EEPROM存儲(chǔ)器。作為一項(xiàng)特殊功能，四個(gè)用戶(hù)內(nèi)存頁(yè)面可以單獨(dú)寫(xiě)保護(hù)或置于EPROM仿真模式，在這種模式下，位只能從1狀態(tài)更改為0狀態(tài)。每個(gè)器件都有自己保證唯一的64位ROM標(biāo)識(shí)號(hào)(ROM ID ),該標(biāo)識(shí)號(hào)是工廠編程到芯片中的。在多設(shè)備1線網(wǎng)絡(luò)的情況下，通信遵循1線協(xié)議，ROMID充當(dāng)節(jié)點(diǎn)地址。
數(shù)據(jù)表：*附件：DS28E07 1024位1-Wire EEPROM技術(shù)手冊(cè).pdf

特性

• 存儲(chǔ)器劃分，用戶(hù)數(shù)據(jù)編程較靈活
  • 1024位EEPROM存儲(chǔ)器，分成四頁(yè)，每頁(yè)256位
  • 獨(dú)立的存儲(chǔ)區(qū)頁(yè)，可以被永久寫(xiě)保護(hù)或進(jìn)入EPROM仿真模式(“寫(xiě)入0”)
• 先進(jìn)的1-Wire協(xié)議，最大程度將接口簡(jiǎn)化為單個(gè)IO，減少要求的引腳數(shù)量、提高靈活性
  • 唯一的工廠編程、不可更改的64位識(shí)別碼
  • 切換點(diǎn)滯回與濾波可以在噪聲下獲得最佳性能
  • 通過(guò)1-Wire協(xié)議以15.4kbps或125kbps單數(shù)字信號(hào)與主機(jī)通信
  • -40°C至+85°C，3.0V至5.25V的寬電壓范圍讀、寫(xiě)操作
  • IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(hù)(典型值)

典型應(yīng)用電路

絕對(duì)最大額定值

電氣特性

引腳配置

DS28E07在單個(gè)芯片中組合了1024位用戶(hù)EEPROM、64位管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和64位ROM ID。數(shù)據(jù)通過(guò)1-Wire協(xié)議串行傳輸，該協(xié)議只需要一根數(shù)據(jù)線和一個(gè)接地回路。DS28BO7具有一個(gè)稱(chēng)為草稿行的附加存儲(chǔ)區(qū)域，在寫(xiě)入主存儲(chǔ)器或管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)用作級(jí)沖區(qū)。數(shù)據(jù)首先被寫(xiě)入草稿行，然后可以從草稿行中讀回。驗(yàn)證數(shù)據(jù)后，CopyScratchpad命令將數(shù)據(jù)傳輸?shù)狡渥罱K存儲(chǔ)位置。用戶(hù)存儲(chǔ)器可以具有不受限制的寫(xiě)訪問(wèn)權(quán)限（出廠默認(rèn)值），也可以具有寫(xiě)保護(hù)或置于EPROM仿真模式。寫(xiě)保護(hù)防止更改內(nèi)存數(shù)據(jù)。EPROM仿真模式在邏輯上將存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)與傳入的新數(shù)據(jù)進(jìn)行AND運(yùn)算，這允許將位從1更改為0.但反之則不然。通過(guò)一次更改一個(gè)位，此模式可用于創(chuàng)建非易失性不可重置計(jì)數(shù)器。有關(guān)更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用說(shuō)明5042：為嵌入式系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)非易失性、不可重置計(jì)數(shù)器。該設(shè)備的64位ROM ID以電子方式標(biāo)識(shí)使用DS28B07的設(shè)備。ROM ID保證了唯一的標(biāo)識(shí)，也用于在多點(diǎn)1-Wire網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中對(duì)設(shè)備進(jìn)行尋址，其中多個(gè)設(shè)備駐留在公共1-Wire總線上并彼此獨(dú)立運(yùn)行。DS28EO7應(yīng)用包括配件/PCB識(shí)別、醫(yī)療傳感器校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、模擬傳感器校準(zhǔn)（包括IEEEP1451.4智能傳感器）、墨水和碳粉打印墨盒識(shí)別以及耗材的售后管理。