具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 LMG3522R030-Q1 GaN FET 以開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器為目標(biāo)，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健?/p>

LMG3522R030-Q1 集成了一個硅驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和最小的振鈴。可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動強(qiáng)度允許控制 20V/ns 至 150V/ns 的轉(zhuǎn)換速率，可用于主動控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。

*附件：LMG3522R030-Q1 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650 V 30 mΩ GaN FET 數(shù)據(jù)表.pdf

高級電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出報(bào)告，從而簡化了器件負(fù)載管理。報(bào)告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，TA
  • 結(jié)溫：–40°C 至 +150°C，TJ
• 650V 硅基氮化鎵 FET，帶集成柵極驅(qū)動器
  • 集成高精度柵極偏置電壓
  • 200V/ns FET 抑制
  • 2MHz 開關(guān)頻率
  • 20V/ns 至 150V/ns 轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和 EMI 抑制
  • 采用 7.5V 至 18V 電源供電
• 強(qiáng)大的保護(hù)
  • 逐周期過流和鎖存短路保護(hù)，具有 < 100ns 響應(yīng)
  • 在硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌
  • 針對內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控進(jìn)行自我保護(hù)
• 高級電源管理
  • 數(shù)字溫度 PWM 輸出
• 頂部冷卻的 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣和熱路徑分開，以實(shí)現(xiàn)最低功率環(huán)路電感

參數(shù)

方框圖

應(yīng)用
?開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器
?商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
?商業(yè)電信整流器
?車載（OBC）和無線充電器
?DC/DC轉(zhuǎn)換器

*附件：管理熱能：突破功率密度障礙的三種方法.pdf

*附件：用集成GaN解決方案提高功率密度的技術(shù)文章.pdf

*附件：實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品的終身可靠性.pdf