在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾,為眾多應(yīng)用場景帶來前所未有的變革潛力。
V: 18770344597
這款晶體管采用 TO-252 封裝,耐壓高達(dá) 700V,典型導(dǎo)通電阻僅 460mΩ,在高壓大功率應(yīng)用中優(yōu)勢顯著。作為常關(guān)型器件,它融合先進(jìn)高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 技術(shù),可靠性與性能達(dá)全新高度。 在關(guān)鍵特性上,ZN70C1R460D 亮點(diǎn)紛呈。
經(jīng) JEDEC 認(rèn)證的 GaN 技術(shù)保障品質(zhì)與穩(wěn)定性,動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻經(jīng)嚴(yán)格生產(chǎn)測試,確保實(shí)際工作性能可靠。寬柵極安全邊際使其能應(yīng)對(duì)復(fù)雜電路環(huán)境,有效降低誤操作風(fēng)險(xiǎn);反向?qū)芰ν卣闺娐饭δ埽瑑?yōu)化電能利用效率。低柵極電荷特性大幅降低驅(qū)動(dòng)損耗與開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)整體效率。同時(shí),其符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且無鹵包裝,環(huán)保屬性契合綠色科技發(fā)展潮流,在硬開關(guān)與軟開關(guān)電路中均能顯著提升效率,為電源管理、電力轉(zhuǎn)換等應(yīng)用帶來更高功率密度、更小系統(tǒng)尺寸與重量及更低成本優(yōu)勢,且適配常用柵極驅(qū)動(dòng)器,易于集成至現(xiàn)有電路設(shè)計(jì)。
于應(yīng)用層面,ZN70C1R460D 潛力無限。在快速充電器領(lǐng)域,其高效電能轉(zhuǎn)換助力設(shè)備快速充電同時(shí)減少發(fā)熱,延長電池壽命;電信電源應(yīng)用中,穩(wěn)定可靠性能保障通信設(shè)備持續(xù)運(yùn)行,提升供電質(zhì)量;數(shù)據(jù)中心里,高功率密度與低損耗特性降低能耗與散熱成本,增強(qiáng)數(shù)據(jù)處理能力;照明系統(tǒng)采用它可實(shí)現(xiàn)高效節(jié)能調(diào)光,提升照明效果與系統(tǒng)穩(wěn)定性,引領(lǐng)智能照明發(fā)展。
從詳細(xì)參數(shù)來看,其漏源極最大電壓(Vos,max)700V、25°C 時(shí)連續(xù)漏極電流(ID.max)5A 等指標(biāo),明確劃定工作邊界;典型柵極電荷(QG.typ)11nC、反向恢復(fù)電荷(QRR,typ)25nC 等參數(shù)凸顯低損耗優(yōu)勢,為電路設(shè)計(jì)精準(zhǔn)選型提供關(guān)鍵依據(jù)。 引腳設(shè)計(jì)簡潔明了,G 為柵極、S 為源極、D 為漏極,方便工程師快速上手布局。訂購信息清晰,單一型號(hào) ZN70C1R460D 對(duì)應(yīng) TO-252 封裝及源極配置,便于采購與管理庫存。 絕對(duì)最大額定值全面規(guī)范電氣與溫度極限,如 800V 瞬態(tài)漏源電壓(VDSS(TR))、±20V 柵源電壓(VGSS)、25W 最大功耗(PD)等,保障器件安全穩(wěn)定運(yùn)行,指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)熱管理與電氣保護(hù)設(shè)計(jì)。 熱特性方面,結(jié)到殼熱阻(Rth(j-c))5°C/W、結(jié)到環(huán)境熱阻(Rth(j-a))50°C/W 及 260°C 回流焊接溫度(TSOLD),為散熱設(shè)計(jì)提供核心參數(shù),確保器件在不同散熱條件下穩(wěn)定工作,維持性能一致性。 電氣特性曲線直觀呈現(xiàn)輸出、轉(zhuǎn)移、電容、開關(guān)時(shí)間等特性隨電壓、電流、溫度變化趨勢,如輸出特性曲線展示不同柵極電壓下電流與電壓關(guān)系,為電路設(shè)計(jì)精細(xì)調(diào)整提供可視化參考,助力工程師優(yōu)化電路性能。 ZienerTech 始終保持創(chuàng)新活力,雖保留產(chǎn)品規(guī)格調(diào)整權(quán)利,但 ZN70C1R460D 現(xiàn)以領(lǐng)先性能與豐富特性,為電子工程師呈上強(qiáng)大工具,有望重塑電力電子產(chǎn)業(yè)格局,在多領(lǐng)域激發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用浪潮,成為推動(dòng)科技進(jìn)步的核心動(dòng)力之一,助力全球邁向高效、智能、綠色電子新時(shí)代。
審核編輯 黃宇
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9978瀏覽量
140643 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1759瀏覽量
117485
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破

氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載
氮化硼散熱材料大幅度提升氮化鎵快充效能

Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型

日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書
晶體管的主要材料有哪些
GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些
GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢
氮化鎵(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

瑞薩電子氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢

評(píng)論