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英特爾2024技術篇章:矢志探索,砥礪前行

looger123 ? 來源:looger123 ? 作者:looger123 ? 2024-12-31 17:21 ? 次閱讀

在2024年,英特爾持續推進技術創新,在多個技術領域見證了耕耘和收獲,從制程、封裝技術到互連微縮的未來探索,再到神經擬態計算、硅光集成等創新領域,足跡所至都是英特爾一年以來不斷探索的印記。

在制程技術上:

-基于Intel 18A制程打造的首批產品——AI PC客戶端處理器Panther Lake和服務器處理器Clearwater Forest,其樣片于8月出廠、上電運行并順利啟動操作系統,預計將于2025年開始量產。

-英特爾7月發布Intel 18A PDK(制程設計套件)的1.0版本,讓代工客戶能夠在基于Intel 18A的芯片設計中利用RibbonFET全環繞柵極晶體管架構和PowerVia背面供電技術。

在2月Intel Foundry Direct Connect大會上,英特爾首推面向AI時代的系統級代工(systems foundry),提供從工廠網絡到軟件的全棧式優化,讓客戶能夠在整個系統層面進行創新;并拓展制程技術路線圖,新增Intel 14A節點和Intel 3、Intel 18A和Intel 14A節點的演化版本,包括性能提升(P)、功能拓展(E)和用于3D堆疊的硅通孔技術(T);

在封裝技術上:

-在2月Intel Foundry Direct Connect大會上,FCBGA 2D+被納入英特爾代工先進系統封裝及測試(Intel Foundry ASAT)的技術組合之中。這一組合將包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB、Foveros和Foveros Direct技術。

-2024年1月,英特爾實現Foveros 3D先進封裝技術的大規模量產,該技術讓英特爾及其客戶能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊,并為多種芯片的組合提供了靈活的選擇,帶來更佳的功耗、性能和成本優化。

在互連、微縮的未來技術探索上

-英特爾在12月的IEDM 2024上展示多項互連微縮技術突破性進展:

?在新材料方面,減成法釕互連技術(subtractive Ruthenium)最高可將線間電容降低25%,有助于改善芯片內互連;

?選擇性層轉移(selective layer transfer),一種用于先進封裝的異構集成解決方案,能夠將吞吐量提升高達100倍,實現超快速的芯片間封裝(chip-to-chip assembly);

?柵極長度為6納米的硅基RibbonFET CMOS晶體管,在大幅縮短柵極長度和減少溝道厚度的同時,在對短溝道效應的抑制和性能上達到了業界領先水平;

?用于微縮的2D GAA晶體管的柵氧化層模塊,進一步加速GAA技術創新。

在神經擬態計算、硅光集成等創新領域方面:

-英特爾硅光集成解決方案團隊于今年6月展示了業界領先的、完全集成的OCI(光學計算互連)芯粒,該芯粒與英特爾CPU封裝在一起,運行真實數據,可在最長可達100米的光纖上,單向支持64個32Gbps通道, 有望滿足AI基礎設施日益增長的對更高帶寬、更低功耗和更長傳輸距離的需求。

-5月,英特爾的量子硬件研究人員開發了一種高通量的300毫米低溫檢測工藝,使用CMOS制造技術,在整個晶圓上收集有關自旋量子比特器件性能的大量數據。

-英特爾4月發布代號為Hala Point的大型神經擬態系統,基于英特爾Loihi 2神經擬態處理器打造而成,旨在支持類腦AI領域的前沿研究,解決AI目前在效率和可持續性等方面的挑戰。在上一代系統的基礎上,Hala Point將神經元容量提高了10倍以上,大致相當于貓頭鷹的大腦或卷尾猴的大腦皮層,并將性能提高了12倍。

審核編輯 黃宇

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