晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：

厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；

厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低；

厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復雜；

在晶圓切割過程中，事先會在晶圓上貼敷膠膜，以便保證更安全的“切單”，其主要作用有下面幾個方面。

固定和保護晶圓在劃片操作時，需要對晶圓進行精確切割。晶圓通常很薄且脆，UV 膠帶能將晶圓牢固地粘貼在框架或載片臺上，防止晶圓在切割過程中發生位移、晃動，確保切割的精度和準確性。 它可以為晶圓提供良好的物理保護，避免切割過程中可能出現的外力沖擊、摩擦等對晶圓造成損傷，如產生裂紋、崩邊等缺陷，保護晶圓表面的芯片結構及電路完好。

便于切割操作UV 膠帶具有合適的彈性和柔韌性，在切割刀片切入時能夠適度變形，使切割過程更加順暢，減少切割阻力對刀片和晶圓的不良影響，有助于提高切割質量和刀片的使用壽命。 其表面特性能夠使切割產生的碎屑較好地附著在膠帶上，而不會四處飛濺，便于后續對切割區域的清理，保持工作環境相對清潔，也避免了碎屑對晶圓及其他設備造成污染或干擾。

易于后續處理在晶圓切割完成后，通過照射特定波長和強度的紫外線，可以使 UV 膠帶的粘性迅速降低甚至完全失去粘性，從而能夠輕松地將切割后的芯片從膠帶上分離下來，方便進行芯片的后續封裝、測試等工藝流程，而且這種分離過程對芯片的損傷風險極小。