近日，SK海力士對(duì)外宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——成功實(shí)現(xiàn)了全球最高的321層1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的量產(chǎn)。這一里程碑式的成就不僅彰顯了SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的深厚底蘊(yùn)，也標(biāo)志著全球NAND閃存技術(shù)邁入了一個(gè)新的發(fā)展階段。

據(jù)SK海力士介紹，此次量產(chǎn)的321層NAND閃存采用了先進(jìn)的4D堆疊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了前所未有的存儲(chǔ)密度和性能提升。與之前的產(chǎn)品相比，321層NAND閃存不僅具有更高的存儲(chǔ)容量，還在讀寫速度、耐用性等方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，能夠更好地滿足市場(chǎng)對(duì)于高性能、高可靠性存儲(chǔ)解決方案的迫切需求。

SK海力士表示，他們計(jì)劃從明年上半年起正式向全球客戶提供這款321層NAND閃存產(chǎn)品。相信隨著該產(chǎn)品的逐步推廣和應(yīng)用，將為用戶帶來更加出色的存儲(chǔ)體驗(yàn)，同時(shí)也將進(jìn)一步推動(dòng)全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。

此次SK海力士成功量產(chǎn)321層NAND閃存，不僅是對(duì)公司自身技術(shù)實(shí)力的一次有力證明，也為全球NAND閃存市場(chǎng)的發(fā)展注入了新的活力和動(dòng)力。