英特爾攜手日本AIST共建半導體研發中心
近日，英特爾宣布將與日本國立產業技術綜合研究所（AIST）展開合作，共同投資約1000億日元（折合7億美元），在日本興建一座最先進的半導體研發中心。該中心預計將于2027年正式投入運營。
據悉，新設施將在三到五年內建成，并將配備極紫外線光刻（EUV）設備，為行業內的設備制造商和材料公司提供原型設計和測試服務。這一舉措將極大地促進日本半導體產業的發展，并提升其在全球半導體市場的競爭力。
值得一提的是，該中心將是日本首個允許行業成員共同使用極紫外線光刻設備的中心，為行業內的企業提供了一個共享資源、共同創新的平臺。英特爾與AIST的合作，不僅有助于推動半導體技術的創新與發展，還將為日本的科技產業注入新的活力。
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