C_SIZE
該參數(shù)用于計(jì)算用戶的數(shù)據(jù)卡容量(不包括安全保護(hù)區(qū)域),數(shù)據(jù)卡的內(nèi)存容量從C_SIZE、C_SIZE MULT和READ_BL_LEN表項(xiàng)計(jì)算,計(jì)算公式如下:
VDD_R_CURR_MIN, VDD_W_CURR_MIN
最小電源Vdd下的讀寫電流最大值編碼如下:
VDD_R_CURR_MAX, VDD_W_CURR_MAX
最大電源Vdd下的讀寫電流最大值編碼如下:
C_SIZE_MULT
ERASE_BLK_EN
ERASE_BLK_EN定義要擦除的數(shù)據(jù)的單位大小的粒度。erase操作可以擦除一個(gè)或多個(gè)512字節(jié)的單元,也可以擦除一個(gè)或多個(gè)512字節(jié)的單元(或扇區(qū))SECTOR_SIZE(見下面的定義)。
當(dāng)ERASE_BLK_EN=0時(shí),主機(jī)可以擦除SECTOR_SIZE的一個(gè)或多個(gè)單位。擦除將從包含起始地址的扇區(qū)開始到包含結(jié)束地址的扇區(qū)結(jié)束。以SECTOR_SIZE=31為例,主機(jī)設(shè)置Erase Start Address為5,Erase End Address為40,則如下圖所示,將擦除0 ~ 63的物理塊。
當(dāng)ERASE_BLK_EN=1時(shí),主機(jī)可以擦除一個(gè)或多個(gè)512字節(jié)的單元。所有包含從起始地址到結(jié)束地址的數(shù)據(jù)塊都將被擦除。例如,主機(jī)設(shè)置了“Erase Start Address”為“5”,“Erase End Address”為“40”,則會(huì)擦除5 ~ 40的物理塊,如下圖所示。
SECTOR_SIZE
監(jiān)控程序的內(nèi)容是一個(gè)7命中的字節(jié)編碼值,確定了寫塊的數(shù)量(參見WRITE_BL LEN)。實(shí)際大小是通過增加這個(gè)數(shù)字來計(jì)算的由一個(gè)。0表示1塊寫,127表示128塊寫。
WP_GRP_SIZE
寫保護(hù)組大小。這個(gè)寄存器的內(nèi)容是一個(gè)7位二進(jìn)制編碼值。定義擦除扇區(qū)的數(shù)量(參見扇區(qū)大小)。實(shí)際大小是通過將這個(gè)數(shù)字增加1來計(jì)算的。0表示1個(gè)擦除扇區(qū),127表示128個(gè)擦除扇區(qū)。
WP_GRP_ENABLE
0表示不支持組寫保護(hù)
R2W_FACTOR
將典型的塊程序時(shí)間定義為讀訪問時(shí)間的倍數(shù)。下表定義了字段格式
WRITE_BL_LEN
最大寫數(shù)據(jù)塊長(zhǎng)度按2WRITE BL LEN計(jì)算。因此,最大塊長(zhǎng)度可能在512到2048字節(jié)之間。寫塊長(zhǎng)度始終支持512字節(jié)。注意,在SD存儲(chǔ)卡中,WRITE_BL_LEN總是等于READ_BL_LEN。
WRITE_BL_PARTIAL
定義部分塊大小是否可以在塊寫命令中使用。WRITE_BL_partial =0意味著只有WRITE_BL_LEN塊大小及其偏導(dǎo)數(shù),以512字節(jié)為單位的分辨率,可以用于面向塊的數(shù)據(jù)寫入。WRITE_BL_PARTIAL=1意味著也可以使用更小的塊。最小塊大小為一個(gè)字節(jié)。
FILE_FORMAT_GRP
選中的文件格式組。該字段對(duì)于ROM是只讀的.具體可以參考下方表格File Formats
COPY
定義內(nèi)容是原始的(=0)還是被復(fù)制的(=1)。將該位設(shè)置為1表示卡片內(nèi)容是一個(gè)副本。除ROM卡外,COPY位是一次性可編程位。
PERM_WRITE_PROTECT
永久保護(hù)整個(gè)卡的內(nèi)容不被覆蓋或擦除(這張卡的所有寫和擦除命令都被永久禁用)。默認(rèn)值為“0”,即非永久寫保護(hù)。
TMP_WRITE_PROTECT
暫時(shí)保護(hù)整個(gè)卡的內(nèi)容不被覆蓋或擦除(這張卡的所有寫和擦除命令暫時(shí)禁用)。該位可以設(shè)置和復(fù)位。默認(rèn)值為0。即不受寫保護(hù)。
FILE_FORMAT
顯示卡上的文件格式。該字段對(duì)于ROM是只讀的。定義如下格式:
CRC
檢測(cè)CRC字段攜帶CSD內(nèi)容的校驗(yàn)和。對(duì)于任何CSD修改,主機(jī)必須重新計(jì)算校驗(yàn)和。默認(rèn)值對(duì)應(yīng)于初始CSD內(nèi)容。
CSD Register (CSD Version 2.0)
高容量SD存儲(chǔ)卡和擴(kuò)展容量SD存儲(chǔ)卡的CSD Version 2.0定義如下方表格所示。下面的部分描述了SDHC和SDXC卡的CSD字段和相關(guān)數(shù)據(jù)類型。
CSD 2.0版本適用于SDHC和SDXC卡。括號(hào)中的字段名設(shè)置為fixedl value,表示主機(jī)不需要引用這些字段。固定值啟用主機(jī)。它引用這些字段,以保持與CSD Version 1.0的兼容性。Cell Type字段的編碼如下:R=可讀,W(1) =一次可寫,W=多次可寫。
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電源
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NAND
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內(nèi)存
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數(shù)據(jù)卡
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