CSD Register

卡片專用數(shù)據(jù)寄存器提供有關(guān)訪問(wèn)卡片內(nèi)容的信息。CSD定義了數(shù)據(jù)格式、糾錯(cuò)類(lèi)型、最大數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間、是否可以使用DSR寄存器等。寄存器的可編程部分(以W或E標(biāo)記的條目，見(jiàn)下文)可以通過(guò)CMD27進(jìn)行更改。

下表中各表項(xiàng)的類(lèi)型編碼如下:R=可讀，W(1) =一次可寫(xiě)，W=多次可寫(xiě)。

CSD_STRUCTURE

CSD寄存器的字段結(jié)構(gòu)取決于物理層規(guī)范版本和卡容量。

CSD寄存器中的CSD STRUCTURE字段表示其結(jié)構(gòu)版本。

CSD結(jié)構(gòu)的版本號(hào)如下表所示。

以下部分描述CSD字段和相關(guān)數(shù)據(jù)類(lèi)型。如果沒(méi)有明確定義否則，所有的命中字符串將被internet為從左擊開(kāi)始的任意編碼數(shù)字

TAAC

定義數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間的異步部分。

NSAC

定義與時(shí)鐘相關(guān)的數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間因素的最壞情況。NSAC的單位為100l時(shí)鐘周期。因此，數(shù)據(jù)訪問(wèn)時(shí)間中與時(shí)鐘相關(guān)的部分的最大值為25.5K個(gè)時(shí)鐘周期。總訪問(wèn)時(shí)間Nac為T(mén)AAC和NSAC之和。它應(yīng)該由主機(jī)計(jì)算實(shí)際時(shí)鐘速率。讀訪問(wèn)時(shí)間應(yīng)該解釋為數(shù)據(jù)塊或流的第一個(gè)數(shù)據(jù)位的典型延遲。

TRAN_SPEED

下表定義了每條數(shù)據(jù)線的最大數(shù)據(jù)傳輸速率——TRAN_SPEED:

注意，對(duì)于當(dāng)前的SD存儲(chǔ)卡，該字段應(yīng)始終為0_0110_010b (032h)，等于25MHz - SD存儲(chǔ)卡的強(qiáng)制最高工作頻率。

在高速模式下，該字段應(yīng)始終為0 1011 010b (05Ah)，即50MHz當(dāng)使用CMD6或CMDO命令將定時(shí)模式恢復(fù)為默認(rèn)值時(shí)，其值為032h。

CCC

SD Memory Card命令集分為多個(gè)子集(命令類(lèi))。卡命令類(lèi)寄存器CCC定義了該卡支持哪些命令類(lèi)。CCC位值為1表示支持相應(yīng)的命令類(lèi)。

READ_BL_PARTIAL(在SD存儲(chǔ)卡中總是=1)在SD存儲(chǔ)卡中總是允許部分塊讀取。這意味著更小的塊也可以使用。最小塊大小為一個(gè)字節(jié)。

WRITE_BLK_MISALIGN定義要由一個(gè)命令寫(xiě)入的數(shù)據(jù)塊是否可以分布在多個(gè)物理上存儲(chǔ)設(shè)備的塊。內(nèi)存塊的大小在WRITE_BL_LEN中定義。WRITE_BLK_MISALIGN=0表示跨越物理塊邊界無(wú)效。WRITE_BLK_MISALIGN=1表示允許跨越物理塊邊界。

READ_BLK_MISALIGN定義一個(gè)命令要讀取的數(shù)據(jù)塊是否可以分布在內(nèi)存設(shè)備的多個(gè)物理塊上。內(nèi)存塊的大小在READ_BL_LEN中定義。READ BLK MISALIGN=0表示跨越物理塊邊界無(wú)效。READ_BLK_MISALIGN=1表示允許跨越物理塊邊界。

DSR_IMP

定義可配置驅(qū)動(dòng)程序階段是否集成在卡上。如果設(shè)置，一個(gè)驅(qū)動(dòng)級(jí)寄存器(DSR)

審核編輯 黃宇