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微導納米:發布自主研發的“先進封裝低溫薄膜應用解決方案”

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2024-07-22 12:51 ? 次閱讀

在“第十六屆集成電路封測產業鏈創新發展論壇(CIPA 2024)”上,微導納米大放異彩,首次發布了自主研發的“先進封裝低溫薄膜應用解決方案”。該方案專為半導體領域2.5D和3D先進封裝技術的低溫工藝需求設計,能夠在50~200°C的低溫區間內實現高質量、高均勻性、高可靠性的薄膜沉積效果。這一創新不僅豐富了公司的產品線,也進一步鞏固了其在薄膜沉積設備領域的領先地位。方案包括iTronix LTP系列低溫等離子體化學氣相沉積系統、iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積系統、iTomic MeT系列金屬及金屬氮化物沉積系統等多款公司自主研發的低溫薄膜沉積設備產品。其中,iTronix LTP系列低溫等離子體化學氣相沉積系統能夠在低溫下實現高質量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉積,適用于混合鍵合的介電層(ILD)、低k阻擋層和堆疊薄膜(BVR)。

iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積系統可沉積高質量的 SiO2和 SiN薄膜,適用于高深寬比的 TSV 襯墊,能夠在極高深寬比的通孔內形成均勻且致密的絕緣層,保證了器件性能的穩定。

微導納米指出,公司在半導體領域已推出包括iTomic系列原子層沉積系統、iTomic MW 系列批量式原子層沉積系統、iTomic PE系列等離子體增強原子層沉積系統、iTronix 系列化學氣相沉積系統等系列產品,現有產品能夠對邏輯芯片、存儲芯片、化合物半導體、新型顯示(硅基 OLED)中的薄膜沉積應用實現較為全面的覆蓋,公司目前產品已經覆蓋 HfO?、Al?O3、ZrO?、TiO?、La?O3、ZnO、SiO?、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。

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審核編輯 黃宇

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