女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

MIT研究院用銦鎵砷化合物造出史上最小晶體管

454398 ? 來源:互聯網 ? 作者:秩名 ? 2012-12-11 11:14 ? 次閱讀

MIT的微系統實驗室(Microsystems Technology Laboratories)聲稱已經造出了史上最小的晶體管,用的卻是硅以外的材料。該晶體管由已經應用于光纖和雷達技術上的銦鎵砷化物(indium gallium arsenide,IGA)制造,厚度僅有22nm(約9股人類DNA)。因為這是在微處理器里使用的相同類型的晶體管,這意味著芯片可以更加密集、提供更高的性能。

圖片來源:MIT News

研究人員希望找到一個替代硅的材料,在更小的尺度上實現更高的速度和效率,以迫近摩爾定律所預測的進程。合作開發人員和麻省理工學院的教授Jesus del Alamo稱,這方面的發展“將確保摩爾定律達到硅片所不能達到的程度”(take Moore‘s Law beyond the reach of silicon)。

MIT News的報道稱,研究人員下一步將提高晶體管的電氣性能和整體速度。若小組成功達到了這個目標,他們將繼續朝著小于10nm的目標前進。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關注

    關注

    77

    文章

    9989

    瀏覽量

    140824
  • 銦鎵砷
    +關注

    關注

    1

    文章

    1

    瀏覽量

    5866
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    化合物半導體器件的定義和制造工藝

    化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎,展現出獨特的電學與光學特性。以(GaAs)為例,其電子遷移率高達8500cm2/V·s,本征電阻率達10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料
    的頭像 發表于 05-28 14:37 ?500次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b>半導體器件的定義和制造工藝

    氮化晶體管的并聯設計技術手冊免費下載

    氮化晶體管的并聯設計總結 先上鏈接,感興趣的朋友可以直接下載: *附件:氮化晶體管的并聯設計.pdf 一、引言 ? 應用場景 ?:并聯開關
    的頭像 發表于 02-27 18:26 ?437次閱讀

    Nexperia共源共柵氮化(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型

    電子發燒友網站提供《Nexperia共源共柵氮化(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
    發表于 02-13 15:23 ?0次下載
    Nexperia共源共柵氮化<b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的高級SPICE模型

    日本開發出用于垂直晶體管的8英寸氮化單晶晶圓

    工藝的橫向晶體管相比,采用氮化單晶構建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學和豐田合成的
    的頭像 發表于 01-09 18:18 ?844次閱讀

    晶體管與場效應的區別 晶體管的封裝類型及其特點

    晶體管與場效應的區別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流。
    的頭像 發表于 12-03 09:42 ?892次閱讀

    銻化晶體在半導體技術中的應用

    銻化是一種化合物晶體,化學式為GaSb。它由(Ga)和銻(Sb)兩種元素組成。在半導體材料的研究與應用領域中,銻化
    的頭像 發表于 11-27 16:34 ?1308次閱讀
    銻化<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>晶體</b>在半導體技術中的應用

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMO
    的頭像 發表于 09-13 14:10 ?7509次閱讀

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區別

    CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色,但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
    的頭像 發表于 09-13 14:09 ?3774次閱讀

    晶體管的主要材料有哪些

    晶體管的主要材料是半導體材料,這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間,具有獨特的電子結構和性質,使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料,包括硅(Si)、鍺(Ge)、氮化
    的頭像 發表于 08-15 11:32 ?3058次閱讀

    GaN晶體管的應用場景有哪些

    GaN(氮化晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性,使得GaN晶體管
    的頭像 發表于 08-15 11:27 ?1641次閱讀

    GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

    GaN(氮化晶體管和SiC(碳化硅)晶體管作為兩種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而,它們在材料特性、性能表現、應用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種
    的頭像 發表于 08-15 11:16 ?1636次閱讀

    GaN晶體管的基本結構和性能優勢

    GaN(氮化晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
    的頭像 發表于 08-15 11:01 ?2301次閱讀

    LOG114開發板能否直接接探測器?

    請問LOG114開發板能否直接接探測器,然后測試LOG114的輸出。 我想把LOG114的輸出直接接到ADC的采集板,ADC是14bits的,1K的采樣頻率,請問采樣的AD值
    發表于 08-05 07:42

    瑞薩電子氮化場效應晶體管的優勢

    氮化場效應晶體管是當今電力電子領域的明星,它正在提高功率轉換效率、電機控制和功率密度,有效滿足當前的市場需求和趨勢。
    的頭像 發表于 07-05 09:20 ?1072次閱讀
    瑞薩電子氮化<b class='flag-5'>鎵</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的優勢

    PNP晶體管符號和結構 晶體管測試儀電路圖

    PNP晶體管是一種雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關和控制電流的器件。與NPN晶體管相對應,PNP晶體管的結構特點在于其三個不同的半導體區域:正極(P型)、負極(N型)、正極(P型
    的頭像 發表于 07-01 17:45 ?4967次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號和結構 <b class='flag-5'>晶體管</b>測試儀電路圖