臺積電高級副總裁兼聯(lián)席COO張曉強在2024年度技術(shù)論壇上宣稱，其公司已成功實現(xiàn)不同晶體管結(jié)構(gòu)的集成，并在實驗室制造了CFET（互補式場效應晶體管）。他預期這種新型器件將應用于尖端邏輯工藝和未來代的先進邏輯工藝，研發(fā)團隊也正在研究引入新的材料以使單個邏輯芯片能容納超過2000億顆晶體管，助力半導體行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新。

張曉強強調(diào)，半導體產(chǎn)業(yè)的黃金時代已然來臨，未來AI芯片的發(fā)展幾乎99%都依賴于臺積電的先進邏輯技術(shù)和先進封裝技術(shù)。臺積電憑借技術(shù)創(chuàng)新，將在未來提升芯片性能和降低功耗方面發(fā)揮更大作用。

關(guān)于2nm制程，張曉強透露，該項目進展順利，采用納米片技術(shù)，目前納米片轉(zhuǎn)換效率已達目標的90%，良品率超過80%，預計將于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。他進一步表示，基于2nm技術(shù)，臺積電全球首發(fā)的A16制程結(jié)合獨特的背面供電技術(shù)，可使芯片性能較2nm提高8%-10%，同時能耗降低15%-20%。臺積電計劃于2026年將A16投入量產(chǎn)，首款芯片將用于數(shù)據(jù)中心高性能計算領(lǐng)域。

此外，臺積電還在實驗室成功集成了P-FET和N-FET兩種不同類型的晶體管，制造出了CFET架構(gòu)的芯片。這是在2nm采用納米片架構(gòu)創(chuàng)新之后，臺積電在晶體管架構(gòu)創(chuàng)新方面的又一重大突破。

張曉強表示，在CFET之后，臺積電研發(fā)團隊將繼續(xù)探索更多的晶體管新材料和創(chuàng)新架構(gòu)，如Ws2或WoS2等無機納米管或納米碳管，這預示著臺積電不僅將CFET引入更先進的埃米級制程，而且還將持續(xù)推動更先進的晶體管架構(gòu)創(chuàng)新。

另一方面，臺積電3nm制程的資深廠長黃遠國表示，盡管今年該制程的產(chǎn)量將增加三倍，但仍然無法滿足市場需求。為了滿足客戶需求，臺積電今年將在國內(nèi)外新建七座工廠，涵蓋先進制程、先進封裝和成熟制程。

黃遠國指出，自2020年至2024年，臺積電3nm、5nm、7nm制程的產(chǎn)能年均增長率高達25%，特殊制程的年均增長率為10%，汽車芯片的年均增長率約為50%。他還提到，臺積電特殊制程技術(shù)在成熟產(chǎn)品中的占比也在穩(wěn)步上升，預計到2024年將達到67%。在2022至2023年間，臺積電平均每年建設(shè)五個工廠，而今年計劃建設(shè)的工廠數(shù)量則增至七個，包括在中國臺灣建設(shè)三個晶圓廠、兩個封裝廠以及在海外建設(shè)兩個工廠。