核芯互聯(lián)今日推出高性能ADC(模數(shù)轉(zhuǎn)換器)芯片CL3492S。該芯片憑借其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,將為通信、測試儀器、軟件定義無線電等多個領(lǐng)域帶來提升。
CL3492S是一款2通道、14位、500MSPS的并行LVDS模數(shù)轉(zhuǎn)換器,具有內(nèi)置片內(nèi)輸入緩沖器和采樣保持電路,專為低功耗、小尺寸和易用性設(shè)計。該芯片可以采樣高達(dá)1GHz的寬帶模擬信號,在小封裝中實現(xiàn)了寬輸入帶寬、高采樣率、出色的線性度和低功耗的完美結(jié)合。
主要特性
高精度和高采樣率:CL3492S支持14位分辨率和500 MSPS采樣率,能夠捕捉高達(dá)1GHz的模擬信號,確保高精度的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。
低功耗設(shè)計:每通道功耗僅為533 mW(500 MSPS),大大減少了系統(tǒng)的整體能耗。
優(yōu)異的動態(tài)性能:無雜散動態(tài)范圍(SFDR)為85 dBFS(150 MHz,1.8 V p-p輸入范圍),信噪比(SNR)為66.2 dBFS(150 MHz,1.8 V p-p輸入范圍)。
內(nèi)置基準(zhǔn)電壓:片內(nèi)基準(zhǔn)電壓源簡化了設(shè)計,同時提供了卓越的溫度漂移特性,確保在不同工作環(huán)境下的穩(wěn)定性。
靈活的差分輸入:支持多種差分輸入幅值范圍,從1.44 V p-p到2.16 V p-p(1.80 V p-p標(biāo)稱值),滿足不同應(yīng)用需求。
多設(shè)備同步:通過SYNC多芯片同步功能,支持多芯片協(xié)同工作,確保數(shù)據(jù)同步采集。
溫度范圍廣:工作結(jié)溫范圍為-40°C至+105°C,適用于各種惡劣環(huán)境。
性能測試結(jié)果
根據(jù)最新的性能測試報告,CL3492S在靜態(tài)特性、常溫動態(tài)特性、高低溫動態(tài)特性、片內(nèi)基準(zhǔn)源溫漂特性以及功耗參數(shù)等方面表現(xiàn)卓越。測試人員在不同環(huán)境溫度和電源電壓條件下進(jìn)行了詳細(xì)的測試,結(jié)果顯示該芯片在不同工作條件下均能保持高精度和高穩(wěn)定性。
靜態(tài)特性:
在常溫下(TJ=50℃),AVDD1=0.975V,AVDD2=1.8V,AVDD3=2.5V,DVDD=0.975V,DRVDD=1.8V的條件下,CL3492S表現(xiàn)出極低的失調(diào)誤差和增益誤差,確保數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的準(zhǔn)確性。
動態(tài)特性:在常溫和高低溫環(huán)境下進(jìn)行的動態(tài)性能測試中,CL3492S均表現(xiàn)出出色的無雜散動態(tài)范圍(SFDR)和信噪比(SNR),驗證了其在各種頻率和輸入條件下的優(yōu)異性能。
功耗參數(shù):在正常工作模式下,CL3492S的總功耗為1.066W,關(guān)斷模式下功耗僅為35.56mW,顯著降低了系統(tǒng)的能耗。
應(yīng)用前景
CL3492S適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
通信領(lǐng)域:多頻段、多模式數(shù)字接收機(jī)(如3G/4G、W-CDMA、GSM、LTE、LTE-A)的高精度信號采集和處理。
測試儀器:高性能測試設(shè)備中的信號采集和分析。
軟件定義無線電:支持高帶無線電寬信號的高精度轉(zhuǎn)換和處理。
審核編輯:劉清
-
接收機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
1218瀏覽量
54228 -
信噪比
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
262瀏覽量
28977 -
模數(shù)轉(zhuǎn)換器
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3297瀏覽量
127957 -
ADC芯片
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
82瀏覽量
20626 -
核芯互聯(lián)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
30瀏覽量
1952
原文標(biāo)題:新品發(fā)布|核芯互聯(lián)發(fā)布新一代高速高精度ADC芯片CL3492S
文章出處:【微信號:gh_0dbe96735e9d,微信公眾號:核芯互聯(lián)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
核芯互聯(lián)發(fā)布高性能ADC芯片CL3653B,優(yōu)化紅外成像應(yīng)用
ADC08D1020高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC10D040高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC14C105高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC14C080高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC14DC080高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC12C105高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC12DC105高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC11DS105高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC12V170高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC12C170高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC11C125高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADC081500低功耗、高性能CMOS模數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表

ADS1281高性能的單芯片模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)數(shù)據(jù)表

ADS1282高性能的單芯片模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)數(shù)據(jù)表

評論