近期，芯塔電子宣布推出適用于電動汽車主驅功率模塊的1200V/14mΩ SiC MOSFET新品，這意味著其成為國內能夠批量供應大電流低阻（Rst）SiC MOSFET產品的稀有碳化硅器件供應商之一。

芯塔團隊憑借出色的器件結構設計，使得新品各項參數表現卓越：在擊穿電壓與閾值電壓方面保持高度一致且穩定；Rsp達到行業領先水準，整體優勢顯著。

此外，得益于國產化供應鏈支持，該產品的襯底、外延采用國產材料，晶圓流片及芯片封裝均在國內完成，為實現車用功率芯片的優質國產替代提供有力支撐。

為了確保客戶獲得高效可靠的SiC MOSFET產品，芯塔電子對整個項目周期實施嚴格的質量管控。1200V/14mΩ SiC MOSFET需經過比AEC-Q101更為嚴格的測試條件，并按VDS=960V進行HV-H3TRB可靠性驗證。

產品重要特性參數具備極高一致性：Vth參數漂移量不超過1.5%，BVDS參數漂移量不超過1.0%，RDs（on）參數漂移量不超過1.5%。

截至目前，芯塔電子已推出涵蓋650V/1200V/1700V多個電壓平臺的近40款SiC MOSFET系列產品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具備更小尺寸、更低寄生干擾、優秀散熱性能及高可靠性的封裝形態，部分產品已獲車規AEC-Q101及加嚴H3TRB雙重認證。

基于1200V/14mΩ SiC MOSFET芯片的優良性能，芯塔電子陸續推出了包括單管及HPD模塊在內的多種封裝形式。

隨著新產品的加入，芯塔電子的碳化硅產品線得以進一步完善，產品廣泛應用于電動汽車（EV）主驅逆變器、OBC/DC-DC、充電樁、光伏和儲能系統（ESS）以及工業電源等領域，以滿足客戶多元化的應用需求。