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探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景

Olivia ? 來源:jf_25850331 ? 作者:jf_25850331 ? 2024-05-16 08:57 ? 次閱讀

隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展,器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高,導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)和性能檢測,必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布,這對半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)及使用單位至關(guān)重要。

自1947年第一支雙極性晶體管誕生以來,半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展改變了社會(huì)面貌并影響著人們的生活。從1965年摩爾定律的提出開始,半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定律不斷發(fā)展,集成電路密度增加、尺寸縮小,導(dǎo)致工作過程中散熱能力下降。熱量積累導(dǎo)致器件結(jié)點(diǎn)溫度升高,進(jìn)而性能下降。因此,熱阻測試、功率測試在半導(dǎo)體研發(fā)中至關(guān)重要。

熱阻是指熱量在熱流路徑上的阻力,是表征介質(zhì)或介質(zhì)間熱傳導(dǎo)能力的重要參數(shù),其物理意義是單位熱量引起的溫升,單位是℃/W。把溫差看作電壓,把熱流看作電流,那么熱阻就可以看作是電阻

半導(dǎo)體器件特征尺寸持續(xù)縮小、功率密度增加,導(dǎo)致器件結(jié)溫升高,這直接影響器件性能和壽命。70%的電子器件損壞與高熱環(huán)境應(yīng)力密切相關(guān)。器件的瞬態(tài)溫升與熱阻密切相關(guān),熱阻由芯片層、焊料層、管殼等組成。利用瞬態(tài)溫升技術(shù),可測得器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升,不但可以測得半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升,而且可以直接測量各部分對于溫升的貢獻(xiàn),計(jì)算芯片熱流路徑上的縱向熱阻構(gòu)成,對器件熱可靠性設(shè)計(jì)、散熱問題解決、產(chǎn)品性能提升和長期可靠性至關(guān)重要。

目前,國內(nèi)外對單芯片內(nèi)部熱阻組成和結(jié)殼熱阻進(jìn)行了廣泛研究,并有一些科研院所和企業(yè)研制出了熱阻測試儀。美國AnalysisTec公司的Phase11熱阻測試儀和MicRed公司的T3Ster熱阻測試儀是兩款比較有影響力的商業(yè)化熱阻測試儀。Phase11適用于三極管、MOSFET二極管IGBT等器件的熱阻測試,操作復(fù)雜,測量周期長。T3Ster可以測量常見三極管、常見二極管、MOS管和LED等半導(dǎo)體器件的熱阻。該儀器利用結(jié)構(gòu)函數(shù)處理可以分析出熱流路徑上各組成熱阻。接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測試儀。

T3Ster是MicReD研發(fā)的熱測試儀,運(yùn)用JEDEC穩(wěn)態(tài)實(shí)時(shí)測試方法,專業(yè)測試分離或集成的雙極型晶體管、MOS晶體管、常見的三極管、LED封裝和半導(dǎo)體閘流管等器件的熱特性。它能測試具有單獨(dú)加熱器和溫度傳感器的熱測試芯片,以及PCB和導(dǎo)熱材料的熱特性。T3Ster通過改變器件輸入功率使其產(chǎn)生溫度變化,測試出芯片的瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線,在幾分鐘之內(nèi)即可分析得到關(guān)于該電子器件的全面的熱特性。與基于脈沖方法的熱測試儀不同,T3Ster采用實(shí)時(shí)測量方法,能快速準(zhǔn)確地捕捉溫度瞬態(tài)曲線。它可通過在固定電流下測量PN結(jié)上的壓降實(shí)現(xiàn)PN結(jié)溫度隨時(shí)間的變化規(guī)律。計(jì)算機(jī)通過接口插件與設(shè)備相連并對其進(jìn)行控制,試驗(yàn)結(jié)果實(shí)時(shí)顯示,并由軟件進(jìn)行控制和后處理。結(jié)構(gòu)函數(shù)的計(jì)算利用NID(Networkidentificationbydeconvolution,反卷積網(wǎng)絡(luò)計(jì)算)方法,要求采集的試驗(yàn)數(shù)據(jù)非常準(zhǔn)確且連續(xù),以保證結(jié)果準(zhǔn)確性。T3Ster測試儀的瞬態(tài)數(shù)據(jù)采集精度高達(dá)1μs,可精確捕捉每一個(gè)溫度的瞬態(tài)變化,保證了分析結(jié)果的準(zhǔn)確性。其高信噪比可允許精細(xì)測量,在測量封裝的結(jié)溫時(shí)具有較高的精度。

SimcenterT3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測試方法,其原理為:

1)首先通過改變電子器件的功率輸入;

2)通過測試設(shè)備TSP(TemperatureSensorParameter熱相關(guān)參數(shù))測試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線;

3)對溫度變化曲線進(jìn)行數(shù)值處理,抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù);

4)從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù);

關(guān)鍵詞:T3ster,Micred,功率循環(huán),結(jié)溫測試,熱阻測試,結(jié)溫?zé)嶙铚y試,半導(dǎo)體熱特性測試;

參考文獻(xiàn):

[1] 楊軍偉.半導(dǎo)體器件熱阻測量結(jié)構(gòu)函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術(shù)研究[D].北京工業(yè)大學(xué),2016.

[2] 王超.基于瞬態(tài)溫升技術(shù)多通道系統(tǒng)級熱阻測試儀研究與開發(fā)[D].北京工業(yè)大學(xué),2017.

[3] 張立,汪新剛,崔福利.使用T3Ster對宇航電子元器件內(nèi)部熱特性的測量[J].空間電子技術(shù),2011,8(02):59-64.

[4] 溫存,林偉瀚,周明,等.模組內(nèi)部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測試系統(tǒng)研究與分析[J].電子產(chǎn)品世界,2020,28(12):33-36.

審核編輯 黃宇

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