據(jù)中國光谷5月10日消息披露，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓近日提前完工。這標志著，項目步入投產(chǎn)階段，有望在今年6月實現(xiàn)全面完工，并于明年7月正式投產(chǎn)。項目落成后，將成為我國最大的碳化硅功率半導體制造基地。

長飛先進武漢基地坐落在武漢新城核心區(qū)域，由長飛先進半導體（武漢）有限公司斥資打造，總投資預計逾200億元。

該項目專注于第三代半導體功率器件的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋新能源汽車、光伏儲能、充電樁、電力電網(wǎng)等多個領(lǐng)域。項目投產(chǎn)后，預計每年可產(chǎn)出36萬片6英寸碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊。

2023年9月1日，長飛先進半導體武漢基地在武漢新城舉行了奠基儀式，當時公布的計劃是一期工程將于2025年竣工。

據(jù)悉，該項目占地面積達22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米，主要建設內(nèi)容包括芯片廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套設施等，建設周期為578天。