據(jù)TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷所述，自今年第二季度以來，供應(yīng)商已著手對2025年HBM價格展開談判。鑒于DRAM產(chǎn)能有限，為了防止排擠效應(yīng)，供應(yīng)商已初步上調(diào)價格5%-10%，包括HBM2e、HBM3和HBM3e等產(chǎn)品。

至于為何供應(yīng)商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品質(zhì)穩(wěn)定的貨源；最后，由于DRAM供應(yīng)商的可靠性和供應(yīng)能力會影響HBM每GB單價，未來銷售單價可能存在差異，進而影響利潤，因此他們愿意接受漲價。

吳雅婷還提到，得益于HBM銷售單價遠高于傳統(tǒng)DRAM，且與DDR5相差約五倍，再加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代，使得2023年至2025年HBM產(chǎn)能和產(chǎn)值在DRAM中的比重顯著增加。

就產(chǎn)能而言，2023年和2024年HBM在DRAM總產(chǎn)能中所占比例分別為2%和5%，而到2025年這一比例預(yù)計將超過10%。產(chǎn)值方面，從2024年起，HBM在DRAM總產(chǎn)值中的占比預(yù)計將超過20%，到2025年甚至有望達到三分之一以上。