長江日報大武漢客戶端4月10日訊（記者李琴通訊員張希為）正在中國光谷舉行的2024九峰山論壇暨化合物半導體產業博覽會上，九峰山實驗室展出了剛剛下線的全球首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓。該項成果可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模制造，可以制造目前全球綜合性能最優的光電集成芯片。這也是該項成果首次公開亮相。

九峰山實驗室工藝中心總經理柳俊介紹，由于鈮酸鋰材料本身的脆性大，大尺寸鈮酸鋰晶圓的制備工藝一直是業界的難題，目前，全球對薄膜鈮酸鋰的研發主要集中在6寸晶圓上，“此項成果由九峰山實驗室聯合重要產業合作伙伴開發，在工藝和技術上達到了全球領先，將盡快實現產業商用”。

記者現場看到，除8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓外，九峰山實驗室還展出了6寸碳化硅新型溝槽MOSFET晶圓等一系列突破性產品。“邊建設邊開發”，柳俊表示，得益于前期的技術積累和從全球引進的頂尖人才，九峰山實驗室才能快速地在化合物半導體領域作出自己的貢獻，“有信心在未來實現更多新技術上的突破，在全球化合物半導體產業的發展中發揮引領作用”。

九峰山實驗室展臺上，“集智九峰、筑芯光谷”8個大字引人注目。現場了解到，作為湖北十大實驗室之一，2021年成立的九峰山實驗室以建設先進的化合物半導體研發和創新中心為愿景，在中國光谷建立起世界級的實驗基礎設施，將來自世界各地的才智聚集在一起，建立由合作伙伴組成的全球生態系統，打造開放、公共、共享的科研中心，構建可持續發展的未來。

柳俊介紹：“九峰山實驗室擁有業界領先的化合物半導體基礎設施，從化合物半導體產品設計、外延生長、流片到測試，提供全鏈條的一站式服務。”

毗鄰九峰山實驗室展臺，是4家由九峰山實驗室產業帶動培育發展的企業的展位。其中，武漢驛天諾科技有限公司與九峰山實驗室合作開發的項目，已通過可靠性測試驗證，所有指標對標國際先進水平，達到國內領先地位。“希望他們的產品能讓更多客戶看見，快速打入市場。”柳俊說。

“面向科技前沿，力爭突破，實現技術上的全面領先。”他表示，未來九峰山實驗室還將針對第四代半導體前沿布局，“希望在第四代半導體成熟階段，有更大機會實現更多產品和技術上的引領。”

審核編輯：劉清