SK海力士、三星電子年內(nèi)啟動1c納米DRAM內(nèi)存量產(chǎn)
據(jù)韓國媒體Business Korea 報道，業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士與三星電子計劃年內(nèi)分別實現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
步入20至10納米（nm）工藝階段后，業(yè)界通常用數(shù)字+后綴的方式來標記內(nèi)存代際。因此，1c nm便相當(dāng)于美光的1-gamma nm概念，代表著該領(lǐng)域內(nèi)的第六個10+ nm工藝代際。同時，三星對之前的1b nm的命名為“12nm級別”。
三星近期在Memcon 2024行業(yè)會議中聲稱，計劃于今年底以前實現(xiàn)1c nm工藝的量產(chǎn)。另據(jù)行業(yè)消息人士透露，SK海力士已確定在第三季度實現(xiàn)1c納米DRAM內(nèi)存的商業(yè)化生產(chǎn)。
SK海力士計謀搶先一步，爭取在1c nm內(nèi)存獲得行業(yè)認可之后，快速滿足微軟、亞馬遜等大客戶的需求。
展望未來，三星電子和SK海力士在下一代內(nèi)存市場中將增加EUV光刻的應(yīng)用，以此縮減線寬、提高速度和降低功耗。
值得注意的是，美國企業(yè)美光已在1-gamma納米節(jié)點嘗試使用EUV技術(shù)并有望于2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。另外，臺灣公司南亞正在積極研發(fā)首款DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，并計劃于今年推向市場。
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