較為激進的技術路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
且能夠感知語境的移動AI體驗。此外,美光已首次向市場出貨能效領先的LPDDR5X內(nèi)存,其功耗降低幅度超過 10%。1借助全新的One UI 7系統(tǒng),
發(fā)表于 02-25 09:44
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據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將
發(fā)表于 01-22 15:54
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三星電子近期在韓國市場推出了一項創(chuàng)新的AI訂閱俱樂部計劃,該計劃旨在為消費者提供一個全新的方式來體驗和享受
發(fā)表于 12-13 15:42
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近日,信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測,由于客戶庫存過剩,三星電子在2025年上半年可能會面臨內(nèi)存芯片價格下跌的挑戰(zhàn)。 Park指出,盡
發(fā)表于 11-27 11:22
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近日,英偉達公司正在積極推進對三星AI內(nèi)存芯片的認證工作。據(jù)英偉達CEO透露,他們正在不遺余力地加速這一進程,旨在盡快將三星的
發(fā)表于 11-25 14:34
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠,以擴大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設施,進一步提升三星電子在半導體領域的生產(chǎn)能力。
發(fā)表于 11-14 16:44
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方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別
發(fā)表于 11-13 11:36
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近日,三星電子被曝出計劃對其芯片高管職位進行大幅削減,并著手重組半導體相關業(yè)務。據(jù)相關消息稱,三星電子正在對其設備解決方案(DS)部門下的內(nèi)存
發(fā)表于 10-11 15:56
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三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據(jù)透露,三星計劃在2024年率先推出基
發(fā)表于 09-09 17:45
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三星電子近日宣布了一項重要進展,其專為高級車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)及高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)設計的LPDDR4X車載內(nèi)存已成功通過高通最新驍龍數(shù)字底盤平臺的嚴格驗證。這一成就不僅標志著三
發(fā)表于 08-27 16:02
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三星電子今日正式宣告,其業(yè)界領先的超薄LPDDR5X內(nèi)存封裝技術已進入量產(chǎn)階段,再次引領內(nèi)存技術
發(fā)表于 08-07 11:21
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據(jù)韓國媒體最新報道,三星電子與韓國互聯(lián)網(wǎng)巨頭Naver在AI加速器開發(fā)領域的合作關系即將迎來重大轉(zhuǎn)折。雙方共同研發(fā)的Mach-1芯片即將面世,而這也意味著雙方長達一段時間的緊密合作將在
發(fā)表于 08-06 11:15
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低功耗內(nèi)存市場的地位。 三星LPDDR5X DRAM 憑借在芯片封裝領域豐富的技術經(jīng)驗,三星可提
發(fā)表于 08-06 08:32
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在半導體技術的持續(xù)演進中,三星電子再次展現(xiàn)了其行業(yè)領導者的地位,通過其2024年異構(gòu)集成路線圖,向全球揭示了一款革命性的新型移動內(nèi)存——LP Wide I/O。這款內(nèi)存的問世,預示著移
發(fā)表于 07-18 18:24
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