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PowerPAIR 3x3 FS 封裝80 V對稱雙通道MOSFET

Vishay威世科技 ? 來源:Vishay威世科技 ? 2024-03-08 09:12 ? 次閱讀

PowerPAIR3 x 3FS封裝80 V對稱雙通道MOSFET

RDS(ON)達到業內先進水平,提高功率密度、能效和熱性能

節省空間型器件所需 PCB 空間,比 PowerPAIR 1212 封裝分立器件減少 50 %

有助于減少元器件數量并簡化設計

日前,Vishay 推出新型 80 V 對稱雙通道 N 溝道功率 MOSFET,將高邊和低邊 TrenchFETGen IV MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR3 x 3FS 單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換,在提高功率密度和能效的同時,增強熱性能,減少元器件數量并簡化設計。

日前發布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件,節省 50 % 基板空間。器件為設計人員提供節省空間的解決方案,用于同步降壓轉換器、負載點(POL)轉換器DC / DC 轉換器半橋和全橋功率級,適用領域包括無線電基站、工業電機驅動、焊接設備和電動工具。這些應用中,SiZF4800LDT 高低邊 MOSFET 提供 50 % 占空比優化組合,同時 4.5 V 下邏輯電平導通簡化電路驅動。

為提高功率密度,該 MOSFET 在 4.5 V 條件下導通電阻典型值降至 18.5 mΩ,達到業內先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低 16 %。SiZF4800LDT 低導通電阻與柵極電荷乘積,即 MOSFET 功率轉換應用重要優值系數(FOM)為 131 mΩ*nC,導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關應用的效率。

器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力,熱阻比競品 MOSFET 低 54 %。SiZF4800LDT 導通電阻和熱阻低,連續漏電流達 36 A,比接近的競品器件高 38 %。MOSFET 獨特的引腳配置有助于簡化 PCB 布局,支持縮短開關回路,從而減小寄生電感。SiZF4800LDT 經過 100 % Rg 和 UIS 測試,符合 RoHS 標準,無鹵素。

競品對比表

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Vishay新型PowerPAIR3 x 3FS封裝 80 V 對稱雙通道N溝道功率MOSFET





審核編輯:劉清

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原文標題:PowerPAIR? 3 x 3FS 封裝 80 V 對稱雙通道 N 溝道功率 MOSFET

文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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