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TPS2095 4 通道、5.5V、0.25A、80mΩ 負(fù)載開關(guān),具有高電平有效使能數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-14 16:19 ? 次閱讀

TPS2090、TPS2091 和 TPS2092 雙通道以及 TPS2095、TPS2096 和 TPS2097 四通道配電開關(guān)適用于可能遇到重電容負(fù)載和短路的應(yīng)用。TPS209x 器件集成了 80m N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),適用于需要在單個(gè)封裝中集成多個(gè)電源開關(guān)的配電系統(tǒng)。每個(gè)開關(guān)都由一個(gè)獨(dú)立的邏輯使能輸入控制。柵極驅(qū)動(dòng)由內(nèi)部電荷泵提供,旨在控制電源開關(guān)的上升時(shí)間和下降時(shí)間,以最大限度地減少開關(guān)期間的電流浪涌。該電荷泵無需外部元件,并允許在低至 2.7 V 的電源下工作。
*附件:tps2095.pdf

當(dāng)輸出負(fù)載超過限流閾值或出現(xiàn)短路時(shí),TPS209x 會(huì)切換到恒流模式,將過流 (OCx) 邏輯輸出拉低,從而將輸出電流限制在安全水平。當(dāng)持續(xù)的嚴(yán)重過載和短路增加開關(guān)中的功率耗散導(dǎo)致結(jié)溫升高時(shí),熱保護(hù)電路會(huì)關(guān)閉開關(guān)以防止損壞。一旦器件充分冷卻,就會(huì)自動(dòng)從熱關(guān)斷中恢復(fù)。內(nèi)部電路確保開關(guān)保持關(guān)閉狀態(tài),直到出現(xiàn)有效的輸入電壓。TPS209x 器件設(shè)計(jì)用于在 0.5A 負(fù)載下進(jìn)行電流限制。

特性

  • 80 m 高側(cè) MOSFET 開關(guān)
  • 每通道 250 mA 連續(xù)電流
  • 具有過流邏輯輸出的獨(dú)立熱保護(hù)和短路保護(hù)
  • 工作范圍:2.7V 至 5.5V
  • CMOS 和 TTL 兼容使能輸入
  • 2.5ms 典型上升時(shí)間
  • 欠壓鎖定
  • 10 μA 最大待機(jī)電源電流
  • 雙向開關(guān)
  • 提供 8 引腳和 16 引腳 SOIC 封裝
  • 環(huán)境溫度范圍:0°C 至 85°C
  • ESD 保護(hù)

參數(shù)
image.png

一、產(chǎn)品概述

TPS是一款四通道高側(cè)功率分配開關(guān),專為需要多個(gè)電源開關(guān)的應(yīng)用設(shè)計(jì)。它集成了-mΩ的N溝道MOSFET,適用于需要高電流和獨(dú)立熱保護(hù)及短路保護(hù)的應(yīng)用場景。

二、主要特性

  • ?四通道設(shè)計(jì)?:每個(gè)通道獨(dú)立控制,適用于多電源系統(tǒng)。
  • ?高側(cè)MOSFET開關(guān)?:集成-mΩ N溝道MOSFET,最大連續(xù)電流可達(dá)mA。
  • ?獨(dú)立熱保護(hù)和短路保護(hù)?:每個(gè)通道具備獨(dú)立的熱保護(hù)和短路保護(hù)功能,防止過流和過熱損壞。
  • ?過流邏輯輸出?:當(dāng)輸出負(fù)載超過電流限制閾值或發(fā)生短路時(shí),相應(yīng)的OCx邏輯輸出變?yōu)榈碗娖健?/li>
  • ?寬工作電壓范圍?:支持.V至.V的工作電壓范圍。
  • ?低待機(jī)功耗?:最大待機(jī)供電電流為μA。
  • ?雙向開關(guān)?:支持雙向電流流動(dòng)。
  • ?小尺寸封裝?:提供引腳和引腳SOIC封裝選項(xiàng)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、電氣特性

  • ?靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻?:在V_IN=V,T_J=°C,I_O=.A條件下,典型值為mΩ,最大值為mΩ。
  • ?上升時(shí)間?:在V_IN=.V,R_L=Ω,C_L=μF條件下,典型值為.ms。
  • ?下降時(shí)間?:在相同條件下,典型值為.ms。
  • ?短路輸出電流?:在V_IN=V,輸出短接至地條件下,典型值為.A。
  • ?欠壓鎖定?:當(dāng)輸入電壓低于約V時(shí),自動(dòng)關(guān)閉電源開關(guān)。

五、功能描述

  • ?電源開關(guān)?:通過內(nèi)部電荷泵提供門極驅(qū)動(dòng)電壓,控制高側(cè)MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷。
  • ?電荷泵?:無需外部組件,即可在低至.V的供電電壓下工作。
  • ?驅(qū)動(dòng)器?:控制MOSFET門極電壓的上升和下降時(shí)間,以最小化開關(guān)過程中的電流涌浪和電磁干擾。
  • ?使能輸入?:兼容CMOS和TTL邏輯電平,用于獨(dú)立控制每個(gè)通道的開關(guān)狀態(tài)。
  • ?過流保護(hù)?:當(dāng)輸出電流超過限制閾值時(shí),自動(dòng)進(jìn)入恒流模式,并通過OCx輸出指示過流狀態(tài)。
  • ?熱保護(hù)?:當(dāng)結(jié)溫升高至約°C時(shí),自動(dòng)關(guān)閉受影響的通道,防止過熱損壞。

六、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:SOIC封裝。
  • ?封裝尺寸?:具體尺寸請參考數(shù)據(jù)手冊中的封裝圖。

七、應(yīng)用信息

  • ?電源考慮?:建議在輸入引腳附近放置.μF至.μF的陶瓷旁路電容,以減少電源瞬態(tài)。
  • ?過流響應(yīng)?:設(shè)備能夠檢測并響應(yīng)三種可能的過載情況,包括預(yù)使能短路、使能時(shí)短路和逐漸增加的負(fù)載。
  • ?熱耗散與結(jié)溫?:需要計(jì)算每個(gè)通道的功率耗散和結(jié)溫,以確保在安全工作范圍內(nèi)運(yùn)行。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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