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瑞薩(Renesas)收購美國功率半導(dǎo)體制造商

深圳市浮思特科技有限公司 ? 2024-01-12 15:37 ? 次閱讀
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東京——日本芯片制造瑞薩電子將以3.39億美元收購美國功率半導(dǎo)體公司Transphorm,該公司于周四表示,此舉旨在提升其在電動汽車先進(jìn)氮化鎵(GaN)芯片領(lǐng)域的影響力。

該收購預(yù)計(jì)將在2024年下半年完成。屆時(shí),Transphorm將成為瑞薩的全資子公司。

功率半導(dǎo)體用于控制電機(jī)和轉(zhuǎn)換電力,瑞薩正從傳統(tǒng)的硅材料轉(zhuǎn)向更高效率的新材料。

此次收購Transphorm將使瑞薩有機(jī)會全面進(jìn)入GaN領(lǐng)域,自去年以來,該公司一直尋求在此領(lǐng)域擴(kuò)張。

GaN半導(dǎo)體具有高熱導(dǎo)率和卓越的散熱性能。與傳統(tǒng)芯片相比,它們的功率損失不到一半,能延長電動車的續(xù)航里程。同時(shí),它們也適用于數(shù)據(jù)中心、小型電源以及其他產(chǎn)品。

Transphorm擁有符合國際標(biāo)準(zhǔn)的汽車用GaN半導(dǎo)體技術(shù),也表示出期待與擁有眾多汽車客戶的瑞薩合作,實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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