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鼎盛合|芯海SOC芯片開(kāi)發(fā)中的技術(shù)問(wèn)題

PCBA方案開(kāi)發(fā)鼎盛合 ? 來(lái)源:PCBA方案開(kāi)發(fā)鼎盛合 ? 作者:PCBA方案開(kāi)發(fā)鼎盛合 ? 2024-01-12 15:41 ? 次閱讀

SOC芯片近幾年的發(fā)展勢(shì)頭迅猛,許多行業(yè)中俱可見(jiàn)其身影。SOC芯片并不是傳統(tǒng)意義上的芯片,它是一個(gè)由多種功能集成的一個(gè)芯片。SOC芯片自身在出廠時(shí)便帶有部分程序,是為了方便設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)而針對(duì)某些行業(yè)設(shè)計(jì)的特定功能。如芯海的SOC芯片大多數(shù)則是基于測(cè)量精度領(lǐng)域而設(shè)計(jì),它是一種集成ADCMCU主控功能的芯片,具有高精度和穩(wěn)定性的特點(diǎn)。測(cè)量精度SOC芯片通過(guò)集成高精度的傳感器信號(hào)處理電路,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)各種參數(shù)的準(zhǔn)確測(cè)量,如溫度、壓力、濕度等。它能夠提供穩(wěn)定、可靠的測(cè)量結(jié)果,為工業(yè)控制系統(tǒng)提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支持。

今天整理了一些關(guān)于芯海SOC芯片的操作流程和注意事項(xiàng)問(wèn)題,希望對(duì)大家有幫助。

1、當(dāng)晶片進(jìn)入休眠模式時(shí),應(yīng)如何設(shè)置 I/O 狀態(tài),使功耗最小?
答:I/O 口斷開(kāi)上拉電阻,作為輸出,并輸出低電平。

2、沒(méi)有用到的 I/O 如何處理?
答:沒(méi)有用到的 I/O 口應(yīng)設(shè)成輸入狀態(tài),并啟用上拉電阻,避免因 I/O 浮接時(shí)造成芯片耗電。或?qū)?I/O 口設(shè)置為輸出狀態(tài)。

3、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中如何提高 EFT 特性?
答:
(1)電源輸入位置要做好濾波,通常采用大小電容組合,外部電源必須要經(jīng)過(guò)電容再到達(dá)芯片電源端;
(2)采用 3V 電池作電源時(shí), RST 復(fù)位端上拉一個(gè) 10KΩ的電阻到 VDD 端;采用 LDO 穩(wěn)壓電源時(shí), RST 復(fù)位端上拉一個(gè) 100KΩ的電阻到 VDD 端,并且需添加大小為 0.1uF的接地電容。
(3)設(shè)計(jì)外掛晶振電路時(shí),應(yīng)視晶振參數(shù)選擇合適的匹配電容和電阻,振蕩電路應(yīng)盡可能靠近芯片引腳,并與地線和電源線保持足夠的距離,以避免電源高頻干擾。
(4)I/O 端具有高雜信號(hào)的負(fù)載最好以光藕等元件隔離或加吸干擾信號(hào)電路。如果是有危險(xiǎn)的負(fù)載,應(yīng)加有上拉或下拉電阻以防止芯片損壞時(shí)的誤動(dòng)作。另外,某些特殊場(chǎng)合由于安全的需要,具有危險(xiǎn)性的負(fù)載也可以利用軟體脈沖驅(qū)動(dòng)的方式,透過(guò)電容耦合,以避免芯片復(fù)位或當(dāng)機(jī)時(shí)的誤啟動(dòng)造成的危險(xiǎn)。

4、RC 振蕩頻率主要受哪些因素影響?
答:
(1)工作電壓;
(2)工作環(huán)境溫度;
(3)外部干擾源:不同的 RC 組合,會(huì)有不同的抗干擾性能。 PCB 布板也可以改善 RC 振蕩的穩(wěn)定性。

5、獨(dú)立按鍵與 MCU 如何連接能有效避免 I/O 口損壞?
答:產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí),按鍵是很常見(jiàn)的功能,由于考慮到成本等因素,很多客戶都是將按鍵的兩端分別與 MCU 和 GND 相連,這種做法在大部分情況下是沒(méi)有問(wèn)題的。但是,當(dāng)工作環(huán)境比較差,比如: ESD、電源等干擾,此時(shí)若按鍵被按下就很可能會(huì)有瞬間大電源或高電壓甚至負(fù)壓灌入 I/O 口,造成 I/O 口損壞。 針對(duì)這種問(wèn)題的防范措施是:可以將端口的上拉打開(kāi),并增加一個(gè) 0.1uF 的接地電容。

6、I/O 外接下拉電阻,沒(méi)有外接信號(hào)時(shí)芯片為何讀不到低電平?
答:如果客戶在程序中將 I/O 口的上拉電阻使能,同時(shí)又在該 I/O 口的周邊接有下拉電阻,在沒(méi)有信號(hào)輸入的情況下,相當(dāng)于內(nèi)置上拉電阻與外接下拉電阻串聯(lián)分壓,所以有可能會(huì)導(dǎo)致 I/O 口讀不到低電平。

7、切換 ADC 通道后,須丟棄多少筆 AD 數(shù)值才穩(wěn)定?
答:切換 AD 通道后,須丟棄前三筆轉(zhuǎn)換的 AD 值,以確保轉(zhuǎn)換的數(shù)值正確性。

8、如何選擇 VS 輸出的電壓值?
答:芯片內(nèi)部 VS 可選 2.2V、 2.5V、 2.8V、 3V 四種 LDO 電壓輸出。電壓越低,功耗也越低,電源電壓下降時(shí)影響越小,但傳感器輸出信號(hào)越小。為此在滿足信號(hào)量情況下, VS 選越低的電壓越好。

9、如何正確使用 Watchdog?
答:Watchdog 是防止外部不可控制事件(如電的干擾等)所造成的程序不正常動(dòng)作或跳轉(zhuǎn)到未知的地址。使用者必須適當(dāng)設(shè)計(jì)程序及運(yùn)用 CLRWDT 指令使程序正常執(zhí)行時(shí), Watchdog不會(huì)溢出,并且當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行不正常時(shí), Watchdog 可以溢出喚醒芯片。

10、編寫(xiě)程序時(shí)如何進(jìn)行間接尋址?
答:FSR0/1 是存放間接尋址的地址, IND0/1 是存放間接尋址地址內(nèi)的數(shù)據(jù)。 IRP0/1 是控制尋址的范圍,“ 0”為尋 00~FF 的內(nèi)容;“ 1”為尋 100~17F 的內(nèi)容。

11、調(diào)試開(kāi)發(fā)板上的 AD 內(nèi)碼達(dá)不到 Datasheet 上的有效位?
答:由于開(kāi)發(fā)板有干擾,使仿真時(shí)內(nèi)碼比實(shí)際芯片的內(nèi)碼有效位低 1 位左右。

12、為何用舊電池標(biāo)定省EEPROM產(chǎn)品時(shí),用舊電池稱重準(zhǔn),換用新電池后重量不準(zhǔn)?
答:OTP自燒錄時(shí)的VPP電壓是通過(guò)將電池電壓升壓1倍從VLCD引腳輸出到VPP。而OTP燒錄的VPP電壓要求6.25~6.75V,若采用舊電池來(lái)供電,則VPP電壓低于標(biāo)準(zhǔn)電壓,OTP燒錄的電荷就偏低,造成當(dāng)電池電壓高時(shí),會(huì)有誤讀OTP數(shù)據(jù)。
建議:
(1)采用OTP自燒錄省EEPROM時(shí),用外部穩(wěn)壓電源6.25~6.75V供給VPP或用外部穩(wěn)壓電源3.3V供給DVDD和AVDD;
(2)采用3.2V~3.5V的電池供給DVDD和AVDD;

13、 LCD顯示過(guò)暗,筆畫(huà)不清晰?
答:
(1)將分壓電阻調(diào)小,調(diào)小電阻會(huì)帶來(lái)功耗的增加;
(2)將LCD的時(shí)鐘頻率以及LCD幀頻調(diào)整,一般說(shuō)來(lái)幀頻越慢,顯示筆畫(huà)越清晰,但是幀頻過(guò)慢會(huì)導(dǎo)致LCD顯示閃爍的問(wèn)題;
(3)將波形選為B波形;

14、間隙供電測(cè)量模式下,為什么每次讀回的AD值誤差大?
答:間隙供電時(shí),關(guān)閉模擬部分只需清除NETF寄存即可,模擬部分其它寄存器不要每次上電都配置。

15、外部晶振不起振?
答:
(1)IO 設(shè)成模擬輸入;
(2)IO數(shù)字輸入輸出使能設(shè)置為數(shù)字輸入;
(3)關(guān)掉IO上拉電阻;
(4)設(shè)外部晶振是高速還是低速;
(5)開(kāi)啟外部晶振,并延時(shí)20ms;

16、使用內(nèi)部溫度傳感器時(shí),如何保存能做到+/-1度誤差?
答:
(1)PGA = 1 取22位AD值;
(2)進(jìn)行一點(diǎn)標(biāo)定(用當(dāng)前環(huán)境溫度進(jìn)行標(biāo)定);
計(jì)算公式: 當(dāng)前溫度AD / (273.15 + 當(dāng)前環(huán)境溫度) = 每度變化AD值

17、開(kāi)發(fā)高精度帶背光的產(chǎn)品時(shí),當(dāng)背光關(guān)閉和點(diǎn)亮?xí)r,ADC的內(nèi)碼會(huì)變化?
答:背光關(guān)閉和點(diǎn)亮?xí)r,ADC的內(nèi)碼變化,需注意以下幾點(diǎn):
(1)模擬部分的AVDD和AGND需在電源的輸入端才與DVDD和DGND相連;
(2)主程序中每個(gè)大循環(huán)的運(yùn)行時(shí)間需一致,否則會(huì)引起內(nèi)部電流波動(dòng),影響ADC;(建議:主程序中不要用Halt指令;)

18、UV擦除裸片(DIE),UV強(qiáng)度和時(shí)間多少?
答:UV強(qiáng)度需達(dá)到25mW/cm^2,光強(qiáng)時(shí)間為1小時(shí)。
注意:由于OTP是一次性燒寫(xiě)memory,紫外擦除只是應(yīng)急措施,并不能保證100%成功。

審核編輯 黃宇

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