女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國內或增6個SiC項目,最高30萬片!

行家說三代半 ? 來源:行家說三代半 ? 2023-12-19 12:40 ? 次閱讀

近日,國內又有多個碳化硅項目簽約,詳情請往下看:

誠譜檢測:

簽訂首個SiC生產項目

12月7日,據“玉林統戰”官微消息,廣西玉林博白縣舉行了玉商回歸活動周,當天集中簽約18個項目,總投資額約10億元,其中包括一個碳化硅單晶項目

誠譜檢測公司透露,他們與玉林市博白縣政府正式簽訂了碳化硅及單晶硅生產工藝研發項目

公開信息顯示,誠譜檢測成立于2020年6月,注冊資本為1000萬元,主要從事地質類、礦床與礦產類、石油地質類礦物組分、成分與結構分析與檢測服務。

截至目前,這是該公司首次涉足及投入SiC生產研發項目。

捷芯半導體

新建2萬片6英寸SiC外延片項目

12月5日,據慈溪市人民政府網消息,捷芯半導體“年產2萬片6英寸碳化硅外延片研發及產業化”項目開始啟動,并入選寧波資本引才工程。

企查查顯示,寧波捷芯半導體材料有限公司成立于2021年03月,注冊資本為2000萬,主要從事碳化硅晶體生長工藝的研發生產。

卓遠半導體:

新建碳化硅長晶項目,獲得2400萬元投資

12月5日,據“中化投(江蘇)產投”官微信息,卓遠半導體中化投(江蘇)產投、亭湖區投促中心進行會見交流,未來三方將加強合作共建,確保碳化硅長晶產業化項目在亭湖區產業園落地。

據官網資料,卓遠半導體此前新建研發及產業基地落地如皋高新技術產業開發區,占地約46畝,總投入2.5億元

公開信息顯示,卓遠半導體成立于2018年,注冊資本為2700萬元,從事于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發生產與制造,不斷推出SiC晶體工藝及解決方案,目前SiC產品覆蓋整條產業鏈:長晶設備、晶錠、襯底片、外延、功率器件/模塊。

值得注意的是,12月4日,卓遠半導體宣布獲得2400萬元的戰略投資,投資方為凱得粵豪

據官微消息,未來3至5年,卓遠半導體將持續切入碳化硅分立器件、碳化硅IGBT模塊等后道工序業務,打造全產業鏈模式,此外,該公司現已明確上市進度安排,正在積極籌備中。

科友半導體:

籌建30萬片SiC項目

12月1日,據哈爾濱新區報消息,科友半導體技術總監張勝濤獲得2023年“龍江工匠”榮譽稱號。

此外,黑龍江日報報道稱,2023年4月,科友半導體8英寸碳化硅中試線正式貫通每7天即可生長出一塊8英寸15~20毫米厚的碳化硅晶體。此外,該公司第三代半導體產學研聚集區二期工程正在籌劃中,建成后將實現年產碳化硅襯底30萬片

力冠微電子:

SiC設備新廠區、新投資落地

11月29日,據力冠微電子官網透露,力冠微電子新產區已經開業,此外,該公司與山東新動能基金、江蘇毅達資本進行了資本簽約,具體金額未透露。

力冠微電子相關負責人表示,新產區及新投資的加入,一方面能幫助公司繼續以高水準研發半導體設備產品,并加快項目建設進度,推進成果轉化,另一方面能提供資金保障,吸引科研人才聚集,促進當地半導體產業實現更高質量發展。

官網資料顯示,力冠微電子成立于2013年,專注于半導體工藝設備的研、產、銷一體化及技術服務,第三代半導體設備包括SiC籽晶粘接/高溫氧化設/高溫退火設備、MPCVD設備、HVPE單晶生長設備、PVT單晶生長設備等,被廣泛用于集成電路、功率半導體、5G芯片等新型電子器件制造領域。

易成新材、中宜創芯:

SiC材料中試基地通過驗收

12月13日,據“易成新材”官微消息,易成新材中宜創芯公司聯合申報的平頂山市碳化硅材料中試基地已順利通過現場驗收。

官方透露,該基地實驗室總面積為8000平方米,擁有碳化硅粉體相關中試設備、分析檢測設備70臺/套,設備原值9000余萬元。現已開展陶瓷精粉碳化硅、磨料級粉體碳化硅、電子級碳化硅粉體、電子級碳化硅晶體材料等產品中試服務工作。

未來,該基地將加大開展對外中試服務力度,打造產學研一體化平臺,建立高端人才引進、培養、使用機制,致力于培育孵化碳化硅半導體產業上下游科技型中小企業,推動科技成果向現實生產力轉化,助推當地碳化硅半導體產業向全球產業鏈中高端邁進。

審核編輯:黃飛

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    31

    文章

    3165

    瀏覽量

    64476
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3024

    瀏覽量

    50086
  • 半導體設備
    +關注

    關注

    4

    文章

    394

    瀏覽量

    15813

原文標題:或增6個SiC項目,最高30萬片!

文章出處:【微信號:SiC_GaN,微信公眾號:行家說三代半】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅(SiC項目問題

    。 傳統差分探頭的CMRR在高頻很低,而SiC器件開關產生的高頻干擾,足以讓真實信號淹沒在噪聲中。我們測出來的波形要么糊成一,要么直接被噪聲淹沒,團隊里好幾個同事都快被逼瘋了。 后來公司采購了這個麥科信
    發表于 04-15 14:14

    SiC外延的化學機械清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導體材料,因其卓越的物理和化學性質,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領域展現出巨大的應用潛力。然而,在SiC外延的制造過程中,表面污染物的存在會嚴重影響
    的頭像 發表于 02-11 14:39 ?414次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>的化學機械清洗方法

    有效抑制SiC外延掉落物缺陷生成的方法

    影響外延質量和器件性能的關鍵因素。這些缺陷不僅會降低外延的良品率,還可能對后續器件的可靠性產生嚴重影響。因此,有效抑制SiC外延掉落物缺陷的生成,對于提升Si
    的頭像 發表于 02-10 09:35 ?401次閱讀
    有效抑制<b class='flag-5'>SiC</b>外延<b class='flag-5'>片</b>掉落物缺陷生成的方法

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發表于 01-22 10:43

    總投資30億!京東方青島基地配套項目即將投產,生產SMT等

    項目坐落于青島開發區王臺區的青島市新型顯示產業園內,由福建達集團有限公司投資建設,總投資額達30億元人民幣。該項目主要建設一
    的頭像 發表于 12-05 15:06 ?626次閱讀

    超31!約102億!兩大半導體公司,合建SiC項目

    達705億日元(折合人民幣約34億元)。據悉,在此次合作中,電裝將負責生產SiC襯底,而富士電機將負責制造SiC功率器件,并將擴建所需設施。項目預計產能為每年31
    的頭像 發表于 12-03 09:22 ?552次閱讀

    三菱電機提供SiC MOSFET裸樣品

    樣品。這是三菱電機首款標準規格的SiC-MOSFET功率半導體芯片,將助力公司應對xEV逆變器的多樣化需求,并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸結合了
    的頭像 發表于 11-14 14:43 ?1518次閱讀

    中國臺灣與遼寧新增SiC襯底工廠,年產能合計達7.2

    近日,中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息,兩家新的SiC(碳化硅)襯底工廠正式落成正在積極推進中,合計年產能將達到7.2。   在中國臺灣,
    的頭像 發表于 10-25 11:20 ?802次閱讀

    8英寸襯底+全SiC模塊,羅姆助力SiC普及浪潮

    的發展,SiC在電動汽車領域的普及進度驚人,從過去30以上車型,已經滲透至12左右的車型上。 ? SiC能夠在電動汽車領域快速普及,關鍵
    的頭像 發表于 10-24 09:04 ?5454次閱讀
    8英寸襯底+全<b class='flag-5'>SiC</b>模塊,羅姆助力<b class='flag-5'>SiC</b>普及浪潮

    方正微電子:2025年車規SiC MOS年產能將達16.8

    10月16日,方正微電子宣布,作為第三代半導體領域的IDM(集成設備制造)企業,公司現擁有兩生產基地(fab)。其中,Fab1已實現每月90006英寸SiC(碳化硅)晶圓的產能,預
    的頭像 發表于 10-16 15:27 ?2228次閱讀

    三安半導體SiC項目二期加速推進,M6B設備正式搬入

    近日,三安半導體隆重舉行了芯片二廠M6B設備的入場儀式,這一里程碑事件標志著三安SiC項目二期工程即將全面貫通,開啟了8英寸SiC芯片產業化的新紀元。該
    的頭像 發表于 07-25 17:28 ?964次閱讀

    通用半導體:SiC晶錠激光剝離全球首最薄130μm晶圓下線

    SiC晶圓。該設備可以實現6寸和8寸SiC晶錠的全自動分片,包含晶錠上料,晶錠研磨,激光切割,晶片分離和晶片收集的全自動工藝流程,晶片拋光后的形貌可以達到LTV≤2μm,TTV≤5μ
    的頭像 發表于 07-15 15:50 ?1075次閱讀
    通用半導體:<b class='flag-5'>SiC</b>晶錠激光剝離全球首<b class='flag-5'>片</b>最薄130μm晶圓<b class='flag-5'>片</b>下線

    芯科技12英寸晶圓制造項目投產啟動,內含國內首條12英寸MEMS智能傳感器晶圓生產線

    |?項目一期產能預計2025年底達到2/月 2024年6月28日,芯科技12英寸晶圓制造項目
    發表于 07-02 14:28 ?1289次閱讀

    中國首條12英寸MEMS量產線今天投產!5年370億兩座晶圓廠12每月!

    Flag完成!從動土開工到投產,18月搞定!中國首條12英寸MEMS量產線!5年投資370億,兩座晶圓廠,12/月產能! 今天(6月28日),廣州
    的頭像 發表于 06-29 08:39 ?1710次閱讀
    中國首條12英寸MEMS量產線今天投產!5年370億兩座晶圓廠12<b class='flag-5'>萬</b><b class='flag-5'>片</b>每月!

    國內8英寸SiC工程下線!降本節奏加速

    制造等產線擴張;另一部分是源自過去十多年時間里,SiC襯底尺寸從4英寸完全過渡至6英寸,加上良率的提升。 ? 更大的襯底尺寸,意味著單片SiC晶圓所能夠制造的芯片數量更多,晶圓邊緣的浪費減少,單芯片成本降低。因此目前
    的頭像 發表于 06-12 00:16 ?3333次閱讀