女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三菱電機提供SiC MOSFET裸片樣品

三菱電機半導(dǎo)體 ? 來源:三菱電機半導(dǎo)體 ? 2024-11-14 14:43 ? 次閱讀

近日,三菱電機集團宣布,將于11月14日開始提供用于電動汽車(EV)、插電式混合動力汽車(PHEV)和其他電動汽車(xEV)電驅(qū)逆變器的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MOSFET)裸片樣品。這是三菱電機首款標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的SiC-MOSFET功率半導(dǎo)體芯片,將助力公司應(yīng)對xEV逆變器的多樣化需求,并推動xEV的日益普及。這款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片結(jié)合了特有的芯片結(jié)構(gòu)和制造技術(shù),有助于提升逆變器性能、延長續(xù)航里程和提高xEV的能源效率,為脫碳目標(biāo)做出貢獻。

功率半導(dǎo)體,作為促進全球脫碳的關(guān)鍵器件,能夠高效轉(zhuǎn)換電力,需求日益增多。特別是在汽車行業(yè),車輛電動化能減少溫室氣體排放,推動了用于電機驅(qū)動逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換設(shè)備的多樣化功率半導(dǎo)體的需求。其中,碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體因其能顯著降低功率損耗而備受期待。三菱電機于1997年開始量產(chǎn)用于xEV的功率半導(dǎo)體模塊,為提高包括熱循環(huán)耐性在內(nèi)的可靠性和解決逆變器小型化問題做出了貢獻,并已應(yīng)用于各種電動汽車(EV)和混合動力電動汽車(HEV)。2024年3月,該公司開始供應(yīng)J3系列xEV功率半導(dǎo)體樣品,該系列產(chǎn)品采用最新壓注模(T-PM)技術(shù)實現(xiàn)小型化設(shè)計,在汽車市場得到廣泛應(yīng)用。

三菱電機的新型功率半導(dǎo)體芯片是一種特有的溝槽柵*SiC-MOSFET,與傳統(tǒng)的平面柵**SiC-MOSFET相比,其功率損耗降低了約50%。特有的制造技術(shù),如抑制功率損耗和導(dǎo)通電阻波動的柵極氧化膜工藝,讓新款芯片更加耐久穩(wěn)定,有助于提高逆變器的耐用性和xEV性能。

未來,三菱電機將繼續(xù)致力于提供高品質(zhì)、低功率損耗的SiC-MOSFET裸片,讓高性能xEV更加普及,從而為構(gòu)建一個更加低碳的世界做出貢獻。

產(chǎn) 品 特 點

特有的溝槽柵SiC-MOSFET延長了xEV的續(xù)航里程并降低了電力成本

采用了三菱電機在制造Si功率半導(dǎo)體芯片過程中積累的先進小型化技術(shù),與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比,導(dǎo)通電阻更低。

采用傾斜離子注入替代傳統(tǒng)的垂直離子注入,降低了開關(guān)損耗。

與傳統(tǒng)的平面柵SiC-MOSFET相比,功率損耗降低了約50%,從而提高了逆變器性能,延長了xEV的續(xù)航里程,并降低了電力成本。

特有制造技術(shù)助力提升xEV性能

三菱電機采用獨特的制造技術(shù),生產(chǎn)溝槽柵SiC-MOSFET,這項技術(shù)是三菱電機在20多年平面柵SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)的研究和制造中總結(jié)出來的。如三菱電機特有的柵極氧化膜工藝,抑制了由重復(fù)開關(guān)引起的功率損耗和導(dǎo)通電阻波動,讓逆變器更加耐用,xEV性能更加穩(wěn)定。

主要規(guī)格

型號 WF0009Q-1200AA WF0008Q-0750AA
應(yīng)用 xEV
額定電壓 1200V 750V
導(dǎo)通電阻 9.0mΩ 7.8mΩ
正面電極 兼容焊料鍵合
背面電極 兼容焊料鍵合和銀燒結(jié)鍵合
樣品價格 依據(jù)報價
樣品開始提供日期 2024年11月14日
環(huán)保意識 本產(chǎn)品符合RoHS***指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

*溝槽柵:在晶圓表面挖出溝槽(trench),并將柵極嵌入其中

** 平面柵:柵極放置在晶圓表面

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

關(guān)于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2024年3月31日的財年,集團營收52579億日元(約合美元348億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機擁有多項專利技術(shù),并憑借強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場,三菱電機從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有68年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    8224

    瀏覽量

    218271
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28547

    瀏覽量

    231975
  • 三菱電機
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    191

    瀏覽量

    21026
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3147

    瀏覽量

    64399

原文標(biāo)題:【新品】三菱電機開始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片樣品

文章出處:【微信號:三菱電機半導(dǎo)體,微信公眾號:三菱電機半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    三菱電機開始提供SiC和混合SiC SLIMDIP樣品

    三菱電機集團今日宣布,將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP(PSF15SG1G6)和混合
    的頭像 發(fā)表于 04-16 14:58 ?319次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>開始<b class='flag-5'>提供</b>全<b class='flag-5'>SiC</b>和混合<b class='flag-5'>SiC</b> SLIMDIP<b class='flag-5'>樣品</b>

    三菱電機發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊

    三菱電機集團近日宣布,將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體,專為軌道交通車輛等大型工業(yè)設(shè)備設(shè)計。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 11:34 ?338次閱讀

    三菱電機高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

    SiC芯片可以高溫工作,與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進,本文帶你詳細了解內(nèi)
    的頭像 發(fā)表于 02-12 11:26 ?456次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>高壓<b class='flag-5'>SiC</b>模塊封裝技術(shù)解析

    三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

    三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:58 ?2228次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>工業(yè)用NX封裝全<b class='flag-5'>SiC</b>功率模塊解析

    三菱電機開始提供工業(yè)用第8代IGBT模塊樣品

    三菱電機株式會社近日宣布,將于2月15日起開始提供新型工業(yè)用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品,適用于太陽能和其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管(IGB
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:36 ?437次閱讀

    三菱電機超小型全SiC DIPIPM解析

    在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 01-08 13:48 ?1426次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>超小型全<b class='flag-5'>SiC</b> DIPIPM解析

    三菱電機開始提供S1系列HVIGBT模塊樣品

    三菱電機集團近日宣布,將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。
    的頭像 發(fā)表于 12-25 15:59 ?594次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>開始<b class='flag-5'>提供</b>S1系列HVIGBT模塊<b class='flag-5'>樣品</b>

    一文了解三菱電機高壓SiC芯片技術(shù)

    三菱電機開發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業(yè)績記錄的SiC器件制造
    的頭像 發(fā)表于 12-18 17:35 ?1176次閱讀
    一文了解<b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>高壓<b class='flag-5'>SiC</b>芯片技術(shù)

    三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

    1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級SiC MOSFET被多家器
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:50 ?1525次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>1200V級<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析

    三菱電機提供200Gbps PIN-PD芯片樣品

    三菱電機集團近日宣布提供用于下一代光收發(fā)器的新型200Gbps PIN光電二極管(PD)芯片樣品,以支持800Gbps和1.6Tbps光纖通信。三菱
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:06 ?763次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>提供</b>200Gbps PIN-PD芯片<b class='flag-5'>樣品</b>

    三菱電機SiC器件的發(fā)展歷程

    三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機一直致力
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:24 ?1038次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b><b class='flag-5'>SiC</b>器件的發(fā)展歷程

    三菱電機功率器件發(fā)展史

    三菱電機從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:17 ?998次閱讀
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>電機</b>功率器件發(fā)展史

    三菱plc型號區(qū)別在哪

    三菱PLC(Programmable Logic Controller,可編程邏輯控制器)是日本三菱電機公司生產(chǎn)的一種工業(yè)自動化控制設(shè)備。三菱PLC以其高性能、高可靠性和易用性而聞名于
    的頭像 發(fā)表于 07-01 10:38 ?4090次閱讀

    三菱電機發(fā)布新型低電流SiC-MOSFET模塊

    三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模塊,以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格,將于6月
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:51 ?1082次閱讀

    三菱電機推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

    三菱電機集團近日宣布,從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:17 ?1026次閱讀