在使用光時(shí)域反射儀（OTDR）時(shí)，針對(duì)不同測(cè)試中的不同曲線，有著不同的分析要點(diǎn)，本文將圍繞這些常見曲線，介紹其中的方法和解析。

一、長(zhǎng)度測(cè)量

一般采用兩點(diǎn)法，將受測(cè)光纖與尾纖一端相接，尾纖一端連到OTDR上，調(diào)整出顯示尾纖和受測(cè)光纖的后向散射峰。其曲線見圖：

方法： 將光標(biāo)A置于第一個(gè)菲涅爾反射峰前沿，將光標(biāo)B置于第二個(gè)菲涅爾反射峰前沿，光標(biāo)A與光標(biāo)B之間的相對(duì)距離差就為被測(cè)光纖長(zhǎng)度。

二、光纖衰減的測(cè)試

方法：將光標(biāo)A置于第一個(gè)菲涅爾反射峰后沿，曲線平滑的起點(diǎn)，將光標(biāo)B置于第二個(gè)菲涅爾反射峰前沿，光標(biāo)A與光標(biāo)B間顯示衰減系數(shù)就是光纖A、B間衰減系數(shù)，但非整根光纖的衰減系數(shù)。

三、典型的后向散射信號(hào)曲線

1、輸入端的Fresnel反射區(qū)（即盲區(qū)）

2、恒定斜率區(qū)

3、局部缺陷、接續(xù)或耦合引起的不連續(xù)性

4、光纖缺陷、二次反射余波等引起的反射

5、輸出端的Fresnel反射

四、盲區(qū)

決定OTDR所能測(cè)到最短距離和最接近距離，是由于活接頭的反射引起OTDR接收機(jī)飽和所至，盲區(qū)通常發(fā)生在OTDR面板前的活接頭反射，但也可以在光纖的其它地方發(fā)生，一般OTDR盲區(qū)為100m。

1、盲區(qū)分為衰減盲區(qū)和事件盲區(qū)

衰減盲區(qū)：從反射點(diǎn)開始至接收機(jī)恢復(fù)到后向散射電平約0.5dB范圍內(nèi)的這段距離,這段距離就是OTDR能再次測(cè)試衰減和損耗的點(diǎn)。

式中：D的長(zhǎng)度就為衰減盲區(qū)的長(zhǎng)度

事件盲區(qū)：從OTDR接收到反射點(diǎn)到開始到OTDR恢復(fù)到最高反射點(diǎn)1.5DB以下這段距離,在這以后才能發(fā)現(xiàn)是否還有第二個(gè)反射點(diǎn),但還不能測(cè)試衰減。

式中：D1的長(zhǎng)度就為事件盲區(qū)的長(zhǎng)度。

影響盲區(qū)的因素:

1、入射光的脈沖寬度、

2、反射光的脈沖寬度、

3、入射光的脈沖后端形狀、

4、所用脈沖越小，盲區(qū)越大。

消除盲區(qū)的方法：加尾纖（過渡纖），最好2KM以上。

五、接頭損耗的測(cè)量

方法：將光標(biāo)定于曲線的轉(zhuǎn)折處如圖位置，然后選擇測(cè)接頭損耗功能鍵，便可測(cè)得接頭損耗。