日本Rapidus、東京大學將和法國半導體研究機構Leti 攜手研發(fā)1納米芯片技術，已簽署考慮合作的備忘錄。

日經新聞16日報道，日本芯片制造商Rapidus、東京大學將和Leti攜手研發(fā)1nm等級芯片設計的基礎技術，將在2024年正式展開人才交流、技術共享，目標活用Leti的半導體元件技術，建構提升自動駕駛、人工智能（AI）性能所不可或缺的1nm芯片產品供應體制。

據報道，Rapidus、東大等日本國立大學以及理化學研究所參與的研究機構「最先進半導體技術中心（LSTC）」和Leti已在10月簽訂考慮合作的備忘錄。LSTC和Leti的目標是確立1.4nm-1nm芯片研發(fā)所必要的基礎技術。

報道指出，在2nm芯片的量產上，Rapidus正和美國IBM、比利時半導體研發(fā)機構imec合作，且也考慮在1nm等級產品上和IBM進行合作。預計在2030年代以后普及的1nm產品運算性能將較2nm提高1-2成。

美國麥肯錫指出，全球半導體市場規(guī)模預估將在2030年之前達到1萬億美元、將較2021年的約6,000億美元大增約7成。臺積電、三星電子將在2025年量產2nm，而Rapidus位于北海道千歲市的2nm芯片研發(fā)/生產據點千歲工廠「IIM-1（第1棟廠房）」已于9月動工，試產產線計劃在2025年4月啟用、2027年開始進行量產。

Rapidus設立于2022年8月，由豐田（Toyota）、Sony、NTT、NEC、軟銀（Softbank）、Denso、NAND Flash大廠鎧俠（Kioxia）、三菱UFJ等8家日企共同出資設立。