在前面的《T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)》文章中,我們介紹了結(jié)構(gòu)函數(shù)的一些應(yīng)用雙界面分離法測試RJc,結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用于產(chǎn)品內(nèi)部缺陷分析,界面材料對比,老化分析等。有許多朋友問,結(jié)構(gòu)函數(shù)怎么得來的?為什么能從結(jié)構(gòu)函數(shù)上讀取材料的熱阻熱容值?
在這里,我們用一篇文章介紹結(jié)構(gòu)函數(shù)的由來及基本的推導(dǎo)過程,以及它的意義,具體的數(shù)學(xué)計算在這里就不進行論述了。
根據(jù)熱力學(xué)定律,當(dāng)任意兩個物體之間存在溫度差時,兩者之間會發(fā)生熱量傳遞,熱量從高溫物體傳遞到低溫物體,這是一個自發(fā)過程。我們知道,熱阻的定義是熱量在熱流傳遞路徑上遇到的阻力,反映了材料或介質(zhì)傳熱能力的大小,它由熱流通道兩端的溫差除以產(chǎn)生溫差的熱功耗而計算得到,和電學(xué)上的歐姆定律計算電阻的方法非常相似。而實際上熱阻也是通過類比電阻的概念而來的,兩者的相似度非常高。電阻指阻礙電流傳導(dǎo)的物理量,那相應(yīng)地,熱阻就是阻礙熱流傳導(dǎo)的物理量,同等條件下熱阻越大,熱量就越不容易傳遞。
圖1
當(dāng)半導(dǎo)體器件工作時,在PN結(jié)處產(chǎn)生熱量,即為熱源部分,溫度升高,由于存在溫度差,熱量通過結(jié)與封裝的接觸傳遞到封裝,然后通過介質(zhì)——封裝材料傳遞到封裝外表面(器件外殼),最后將熱量傳遞到散熱冷板或周圍環(huán)境中。
圖2
T3Ster作為一款先進的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀器,能幫助用戶在數(shù)分鐘內(nèi)獲取各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。
圖3
T3Ster瞬態(tài)熱測試過程:
使用測試小電流取得被測半導(dǎo)體器件溫度敏感參數(shù)TSP(mV/℃),得到正向電壓隨溫度變化的關(guān)系;
使用大電流進行加熱;
當(dāng)達到熱平衡狀態(tài)時,切換成小電流測量P2。(切換時間小于1μs);
當(dāng)切換到測試電流后,被測半導(dǎo)體器件的正向電壓被測量并記錄下來,直到和環(huán)境溫度To達到新的熱平衡狀態(tài)。被記錄下來的正向電壓數(shù)值通過被測半導(dǎo)體器件的溫度系數(shù)(mV/℃)被轉(zhuǎn)換成為相應(yīng)的溫度隨時間變化的關(guān)系,即瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線;
圖4
精確的半導(dǎo)體器件瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線是分析器件熱阻的基礎(chǔ)。
阻容網(wǎng)絡(luò)的物理模型
得到瞬態(tài)溫度響應(yīng)曲線后,需要通過一系列數(shù)學(xué)換算得到熱阻結(jié)構(gòu)函數(shù)。首先,我們需要構(gòu)造一個導(dǎo)熱的模型,為了便于理解,先用一個最簡單的模型,假設(shè)一個小正立方體,在四周絕熱的條件下將它和一個理想的熱沉相接觸。在其上表面施加一個單位的功率并均勻地分布在表面上,如下左圖所示。這個簡單的熱模型就是一個一階 RC 網(wǎng)絡(luò)模型,如下右圖所示。這可以看作一個簡單的半導(dǎo)體封裝器件的近似熱模型。
圖5
在這個模型里,我們看到一個RC(阻容)網(wǎng)絡(luò),在這個網(wǎng)絡(luò)里,熱源當(dāng)作一個恒流源,而熱阻與熱容并聯(lián)到環(huán)境,我們稱之為一階RC網(wǎng)絡(luò)。
圖6 一階RC網(wǎng)絡(luò)
在最簡單的封裝熱模型中,含有一個熱阻和一個熱容。這兩個因素是并聯(lián)連接,如上圖所示。假如給這個模型施加ΔPH的功率,溫度將以指數(shù)形式上升。
τ為模型的時間常數(shù)。
這個模型由時間常數(shù)τ及 Rth 值來描述其大小,如圖7 所示。
圖7
而實際上器件的物理結(jié)構(gòu)通常是復(fù)雜的,并且具有多個時間常數(shù)。
現(xiàn)在我們把模型數(shù)量從1個升級到n個,那么就會變成n階RC網(wǎng)絡(luò),如圖8所示。
圖8
模型中的物理量與電路原理中物理量的對應(yīng)關(guān)系為:熱阻對應(yīng)于電阻,熱容對應(yīng)于電容,功率對應(yīng)于電流,溫升對應(yīng)于電壓,冷板或恒溫平臺對應(yīng)于接地。
一般我們把這種結(jié)構(gòu)的RC網(wǎng)絡(luò)稱為n階福斯特(Foster)結(jié)構(gòu),其對應(yīng)的熱時間常數(shù)譜如圖9所示。
圖9n階Foster結(jié)構(gòu)
我們還需要將FOSTER 網(wǎng)絡(luò)模型轉(zhuǎn)換成CAUER 模型,這是由于FOSTER 網(wǎng)絡(luò)模型包含節(jié)點至節(jié)點的熱容,它沒有物理意義,與實際的物理結(jié)構(gòu)不相符。RC 單端口網(wǎng)絡(luò)存在一個等效的模型——CAUER 網(wǎng)絡(luò)CAUER 模型是一個梯形網(wǎng)絡(luò),如圖10所示,這一模型的網(wǎng)絡(luò)單元能與物理區(qū)域很好地對應(yīng)起來。CAUER 模型是結(jié)構(gòu)函數(shù)分析熱流路徑的基礎(chǔ)。
圖10
FOSTER模型和 CAUER 模型的 RC端口是等效的。兩者都是以極少的組件描述給定電路行為的最簡網(wǎng)絡(luò),這兩個模型可以相互轉(zhuǎn)換。
實際上,不同材料之間的交接界面也是同樣存在熱阻與熱容的,器件的各種材料之間不能看成單一的熱阻熱容,我們應(yīng)該認(rèn)為熱阻與熱容的變化是連續(xù)的,于是我們需要把這個離散的多項式進行連續(xù)化處理,也就是當(dāng)n趨向于正無窮
圖11連續(xù)的熱時間常數(shù)譜
時間常數(shù)譜 R(z)確定后很容易畫出“熱流圖”(描述沿?zé)崃髀窂椒植嫉臒嶙枧c熱容的函數(shù))。
這個時間常數(shù)譜可認(rèn)為是分布式熱阻網(wǎng)絡(luò)FOSTER RC模型的擴展,圖12所示為集總元件的 FOSTER 模型結(jié)構(gòu)。為了建立集總元件模型,將 Rz[11])分成若干個長度為Az的片段。每個A 片段對應(yīng)于一個并聯(lián)的 RC(RCu)電路,
圖12 熱時間常數(shù)譜與n階foster網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)關(guān)系
將foster網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換成Cauer網(wǎng)絡(luò),熱阻與熱容按網(wǎng)絡(luò)階數(shù)疊加,以熱阻為橫坐標(biāo),熱容為縱坐標(biāo),就可得到熱阻的積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線,根據(jù)Cauer網(wǎng)絡(luò)模型,可以清楚地讀出每一層封裝材料的熱阻和熱容值。
圖13
圖14
對積分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線取熱容對熱阻的微分,得到微分結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線。微分結(jié)構(gòu)函數(shù)中的每一個波峰都是一個分界點,更容易讀取。
圖15 積分結(jié)構(gòu)函數(shù)→微分結(jié)構(gòu)函數(shù)
積分結(jié)構(gòu)函數(shù)描述的是封裝器件熱流路徑上各區(qū)域的熱阻與熱容參數(shù),利用微分結(jié)構(gòu)函數(shù)易于分辨出熱流路徑上不種材料的界面位置。
圖16
圖17結(jié)構(gòu)函數(shù)的推導(dǎo)過程
圖18
T3Ster獨有的Structure Function(結(jié)構(gòu)函數(shù))分析法,能夠分析器件熱傳導(dǎo)路徑上每層結(jié)構(gòu)的熱學(xué)性能(熱阻和熱容參數(shù)),構(gòu)建器件等效熱學(xué)模型,是器件封裝工藝、可靠性試驗、材料熱特性以及接觸熱阻的強大支持工具,因此被譽為熱測試中的“X射線”。
圖19
圖20
T3Ster不僅以精確穩(wěn)定的瞬態(tài)熱測試數(shù)據(jù)為熱設(shè)計提供熱特性參數(shù),還能通過與T3Ster相適應(yīng)的熱仿真軟件FloTHERM的軟硬件之間聯(lián)合校準(zhǔn)(calibration),搭建出熱測試與熱仿真研發(fā)平臺,完善熱設(shè)計相關(guān)的參考數(shù)據(jù),提供精確的熱模型與熱參數(shù),熱測試與熱仿真的結(jié)合,幫助用戶獲得更加精確的熱設(shè)計參數(shù),也提高了設(shè)計的速度和可靠性。
公司實驗室介紹
貝思科爾半導(dǎo)體熱可靠性實驗室成立于2019年10月,實驗室位于深圳市南山區(qū)。實驗室配備了行業(yè)領(lǐng)先的瞬態(tài)熱阻測試儀T3ster(2套),界面材料熱導(dǎo)率測試儀DynTIM(1套)測量設(shè)備以及搭配了若干測試載板/夾治具,水冷板/HPD水道等散熱裝置;另外也擁有專業(yè)的電子電路研發(fā)設(shè)計及仿真工具:PADS/Xpedition/Flotherm/FloEFD /Star-CCM+等軟件。
實驗室目前具備量測LED/OLED芯片、功率MOSFET、二極管、三極管、集成電路IC及IGBT等單管和模塊的熱特性參數(shù)的能力,包含Si/SiC/GaN器件及模塊的結(jié)溫、熱阻、熱導(dǎo)率、功率循環(huán)(PCsec & PCmin)等參數(shù)測試能力,具備AECQ101和AQG324的功率循環(huán)可靠性評估、失效分析、壽命預(yù)估等能力。
定制化服務(wù)
定制化水冷散熱系統(tǒng)
水道尺寸型號可定制,滿足不同類型功率模塊測試需求
管路尺寸、數(shù)量、布局可定制,可實現(xiàn)多合一水道系統(tǒng)提高測試效率
高精度流量計、溫度探頭實時監(jiān)控水流量、水溫
高品質(zhì)流體閥開關(guān),靈活調(diào)整流量
通用型快拆接頭,方便拆卸以及更換安裝
各種規(guī)格水冷板密封設(shè)計,保證水冷散熱系統(tǒng)密封完好
定制化測試服務(wù)
根據(jù)客戶測試需求,提供全面的熱特性測試與可靠性測試方案
可設(shè)計夾治具應(yīng)用于不同樣品的熱測試需求
幫助客戶設(shè)計及制作熱測試載板提供詳細的測試報告和數(shù)據(jù)模型,幫助客戶更好的了解樣品熱特性,并提供優(yōu)化建議
審核編輯:湯梓紅
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