這是一篇長長長長的純手寫學(xué)習(xí)筆記：模擬CMOS集成電路設(shè)計入門（1）
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今天聽從一個模擬集成電路大佬的建議，要把模擬集成電路的理論知識吃透，放大器是基礎(chǔ)要研究明白，在此之前不需要仿真做模塊啥的，要把基礎(chǔ)先打好！。
模擬設(shè)計面臨需要有趣和困難的問題，比如：晶體管的缺陷，電源電壓的降低，功耗，電路的復(fù)雜性，PVT的變化等等這些在設(shè)計前期就了解這些方面對模擬集成電路設(shè)計的限制會對之后設(shè)計出更加合適的電路有幫助。
CMOS器件尺寸按比例不斷縮小提高了MOS的速度，在過去的60年里MOS晶體管的本質(zhì)速度超過了3個數(shù)量級，已經(jīng)可以變得可以和雙極型器件的速度相比較，逐漸占據(jù)模擬集成電路的主導(dǎo)地位。
下面是對模擬集成電路做的部分基礎(chǔ)性工作的學(xué)習(xí)筆記，如有錯誤請批評指正！
作者|集成電路小剛
《一文搞懂》系列文章一文搞懂HDMI/DP/DVI/VGA顯示器接口歷史演進一文搞懂USB各個版本的歷史演進一文搞懂高速TIA跨阻放大器設(shè)計一文搞懂電阻，這篇講得很全面，建議收藏一文搞懂共模電感原理一文搞懂MLCC電容的特性及生產(chǎn)工藝流程一文搞懂電感Isat、Irms以及測量方法本號對所有文章陳述的觀點均保持中立，文章僅供讀者交流學(xué)習(xí)。資訊、圖片來源網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有，侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
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審核編輯 黃宇
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