什么是二極管的死區(qū)電壓？為什么會出現(xiàn)死區(qū)電壓？硅管和鍺管的死區(qū)電壓各約是多少？

一、什么是二極管的死區(qū)電壓？

二極管是電子器件中常見的一種元件。它是由一對半導體材料制成的器件，即P型半導體與N型半導體。在正向偏置（即向著P型半導體連接正電壓，向著N型半導體連接負電壓）時，二極管中電子可以通過PN結的能壘，流經器件，從而使二極管具有導電的作用。

然而，在反向偏置時（即向著P型半導體連接負電壓，向著N型半導體連接正電壓），由于PN結之間存在能隙阻擋，電子不能流過，因此二極管具有非導電的作用。但實際上，在反向偏置時，即使連接的電壓為零，也會存在少量的漏電流。這是因為PN結兩側的半導體材料并不是純凈無雜質的，存在少量的雜質離子和缺陷，這些雜質離子和缺陷會形成導電的路徑，使少量的電流通過PN結。

當實際使用中反向偏置的電壓超過一定值時，漏電流突然變得非常大，把二極管可視為電阻時其電阻值突然變小，這個電壓值就是二極管的死區(qū)電壓。

二、為什么會出現(xiàn)死區(qū)電壓？

當電壓極性與二極管的正常使用相反時，電荷難以穿過PN結中的電勢壘，因此會導致PN結中殘留的載流子積累。在理想情況下，載流子的積累是不存在的，即當電壓為零時，流過二極管的電流也應該為零。但由于PN結本身不能完全隔絕電流，所以即使電壓為零，也會有少量的電流通過，這被稱為漏電流。當電壓進一步增加時，殘留的載荷子積累會不斷增加，電流也會不斷增大，直到電流突然放大為幾乎無限大，這時二極管表現(xiàn)為一個非常低的電阻，即出現(xiàn)了死區(qū)電壓。

三、硅管和鍺管的死區(qū)電壓各約是多少？

針對“硅管和鍺管的死區(qū)電壓各約是多少？”這個問題，我們需要詳細地了解這兩種器件的特性。硅管的電壓比鍺管偏高，它的特性類似于二極管，只不過它具有反向電壓承受能力非常高的特點。絕大多數(shù)硅管的反向電壓達到200伏特以上，有一些型號甚至超過1000伏特。在硅管的響應特性曲線中，我們可以看到硅管的死區(qū)電壓是可以用剪切線表示的。

相比之下，鍺管的死區(qū)電壓要比硅管小得多。鍺管的反向電壓通常不超過55伏特，因此它們需要注意使用范圍。鍺管在響應特性曲線方面并不具有硅管的剪切線特征。

綜上所述，二極管的死區(qū)電壓是由反向偏置電壓引起的，當偏置電壓超過一定電壓值時，漏電流急劇增大，二極管導通。硅管和鍺管的死區(qū)電壓各有不同，硅管的反向電壓承受能力高，因此它的死區(qū)電壓也比較高，而鍺管則需要注意反向電壓方面的問題。