據(jù)《電子時報》報道，隨著日本對華半導(dǎo)體設(shè)備出口禁令7月23日正式生效，業(yè)內(nèi)普遍希望了解這對中國半導(dǎo)體行業(yè)的影響。此次出口控制共包括23種半導(dǎo)體設(shè)備，其中包括光加工、蝕刻、薄膜沉積、熱處理、洗滌和檢查等。DIGITIMES Research調(diào)查分析家Eric Chen表示，對照片圖表和薄膜沉積設(shè)備的限制可能會進(jìn)一步實(shí)施，從而影響中國先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。

在光刻設(shè)備方面，荷蘭asml、日本尼康和佳能公司是主要供應(yīng)企業(yè)，在全世界占據(jù)95%以上的市場占有率。在食用裝備領(lǐng)域，美國泛林集團(tuán)、應(yīng)用材料及東京電子（tel）是主要企業(yè)，世界市場占有率合計在90%以上。薄膜沉積設(shè)備企業(yè)有美國的kla、應(yīng)用材料、日本的日立、東京電子和ulvac（真空技術(shù)股份公司）、瑞士的evatec、荷蘭的asm。這些公司占全球市場份額的80%至90%左右。

據(jù)分析師eric chen的研究，到2022年，中國半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口的60%以上仍來自美國、日本和荷蘭，其中日本仍是中國最大的半導(dǎo)體設(shè)備來源，約占進(jìn)口額的30%。

分析家Eric Chen指出：“日本近一半的出口管制與薄膜加工設(shè)備有關(guān)。”但是這類設(shè)備包含了多種技術(shù)。在這種情況下，出口控制的對象主要是利用鈷、釕等尖端工程的金屬聚合設(shè)備、40納米以下工程的原子層沉積設(shè)備、多重制圖工程的硬掩膜沉積設(shè)備等。

對于激光照相設(shè)備，Eric Chen主張說，日本浸潤式深紫外線（duv）激光照相設(shè)備的出口可能會受到影響。據(jù)分析，雖然日本不生產(chǎn)極紫外線（euv）桅桿裝備，但將適用對euv掩膜裝備、euv工程涂料及開發(fā)相關(guān)裝備、euv裝備的空白或事前暴露掩膜檢查裝備的限制。

在蝕刻設(shè)備方面，eric chen指出，日本對硅鍺的濕式蝕刻設(shè)備和干式蝕刻設(shè)備有限制。與此相比，對硅鍺刻蝕設(shè)備的管制措施只限于干式設(shè)備。分析人士認(rèn)為，日本對硅鍺蝕刻設(shè)備出口控制更加嚴(yán)格，主要是因?yàn)楣桄N零部件將廣泛應(yīng)用于航空，航空，軍事等領(lǐng)域。