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      IR2110國產替代芯片ID7S625高壓逆變器驅動芯片方案

      深圳市驪微電子科技 ? 2022-07-30 16:06 ? 次閱讀

      常見的MOS管驅動方式有非隔離的直接驅動、自舉驅動，和有隔離的變壓器驅動、光耦隔離驅動等，ir2110驅動芯片替代料ID7S625高壓高低側柵極驅動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率的MOSFET和IGBT柵極驅動器，廣泛應用于DCDC轉換器、功率MOSFET和IGBT驅動、DC/AC轉換器等領域。

      d4f7fcb3261b46fa9b2e3300cd291934~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=w%2FoEva2NUtSF3hig0UcBPkOG0Nk%3D

      ir2110替代芯片ID7S625特征

      ■ 芯片工作電壓范圍10V~20V

      ■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V

      ■ 輸出電流能力2.5A

      ■ 高側浮動偏移電壓600V

      ■ 自舉工作的浮地通道

      ■ 所有通道均有延時匹配功能

      ■ 所有通道均具有欠壓保護功能(UVLO)

      d0fe3929eccc482d98c82977c8154acc~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=26%2ByxMASVxr5dNE9JSLahCOlpdQ%3D

      ID7S625具有獨立的高低側輸出通道，其浮地通道能工作在60OV的高壓下，可用于驅動一個N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓撲結構，非常適合硬開關逆變器驅動器、DCDC 變換器。低壓側和高壓側控制和驅動器均為自供電，無需外部輔助電源。

      9c366b3923384962b960cdadb0671813~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1659771108&x-signature=Y4cS2wM1dGsErMdas6C51%2FuXxOQ%3D

      IR2110國產替代芯片ID7S625驅動采用外部自舉電容上電，因其體積小、速度快等優點，使得驅動電源路數目較其他IC驅動大大減小，降低了產品成本, 提高了系統的可靠性，已成為大多數中小功率變換裝置中驅動器件的選擇，更多ir2110驅動替代料ID7S625 600V大電流驅動芯片產品手冊及應用資料請向驪微電子申請。>>

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