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IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS) 柵極的電壓進行控制。雖然第三代寬禁帶技術碳化硅正獲得越來越多的關注，但許多應用仍適合繼續使用IGBT， 在技術的不斷發展和升級下，IGBT可實現更低的開關損耗和更高的功率密度。

作為智能電源和智能感知技術的市場領導者，安森美(onsemi)也推出多款超高能效明星IGBT，具備業界領先的性能水平，能最大程度降低導通損耗和開關損耗，助力客戶的系統設計。一起來看看我們的推薦產品吧~

第7代1200V IGBT

安森美FGY75T120SWD正是采用新穎的第7代場截止IGBT和二極管技術，以及TP247三引腳封裝，性能極佳，開關損耗和導通損耗低，用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲能系統(ESS)等基建應用提供高能效。

這款新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出，其低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統成本。對于高功率能源基礎設施應用，FS7器件的正溫度系數使其能夠輕松實現并聯運行。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個優化的二極管，實現低VF，減少開關損耗，可在高達175℃的結溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關性能領先市場現有1200V IGBT。經7倍額定電流的測試，這種高可靠性的IGBT產品展現出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關應用如電機控制和固態繼電器進行了優化。FGY100T120RWD在100 A時VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

掃碼獲取更多產品資料 新的IGBT功率集成模塊，I型，中性點鉗位(NPC)，Q2 Pack NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模塊是高密度的三電平NPC Q2 Pack集成電源模塊，這些電源模塊結合了高性能IGBT和堅固的反并聯二極管。NXH400N100H4Q2F2電源模塊具有場截止技術的高效溝槽IGBT和快速恢復二極管，低開關損耗降低了系統功耗，模塊設計提供了高功率密度。這些電源模塊具有低電感式布局、低封裝高度、最高結溫為175℃、最低結溫為-40℃的特點，是用于1500V太陽能逆變器和儲能系統的理想電源模塊。

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高性價比的IGBT，超場截止-1200 V，Power TO247

FGY60T120SQDN IGBT 采用堅固耐用、經濟高效的超場截止 (FS) 溝槽結構，能夠為要求苛刻的開關應用提供出色性能，提供低導通電壓，并最大限度降低開關損耗，非常適合于UPS和太陽能設備的應用。此外，該器件結合了一個軟性和快速的組合封裝續流二極管，具有低正向電壓。具體參數包括工作電壓1200V、工作電流60A以及功耗517瓦，采用TO-247-3封裝。

掃碼獲取更多產品資料 隔離型雙溝道IGBT柵極驅動器

NCD57252/3/5/6是大電流雙通道隔離IGBT柵極驅動器，從輸入到每個輸出的內部電隔離2.5或5 kVrms，兩個輸出通道之間也提供功能隔離。該器件在輸入端接受3.3 V至20 V的偏置電壓和信號電平，在輸出端接受高達32V的偏置電壓。

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