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功率半導(dǎo)體的定義

功率半導(dǎo)體，又稱電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制，在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)、逆變（直流轉(zhuǎn)交流）和整流（交流轉(zhuǎn)直流）等作用。

功率半導(dǎo)體的分類

功率半導(dǎo)體主要分為功率分立器件和功率IC。

1) 功率分立器件，二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。

2）功率 IC，涵蓋驅(qū)動(dòng)/控制/保護(hù)/接口/監(jiān)測(cè)等外圍電路，包括 AC/DC、DC/DC、電源管理 IC 和驅(qū)動(dòng)IC 等。

功率器件的應(yīng)用

不控器件：典型器件是電力二極管，主要應(yīng)用于低頻整流電路；

半控器件：典型器件是晶閘管，又稱可控硅，廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電路中，應(yīng)用場(chǎng)景多為低頻；

全控器件：應(yīng)用領(lǐng)域最廣，典型為GTO、GTR、IGBT、MOSFET，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、軌道牽引、家電等各個(gè)領(lǐng)域。

GTO：門極可關(guān)斷晶閘管

GTR：電力晶體管

IGBT：絕緣柵雙極性晶體管

MOSFET：金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管

汽車領(lǐng)域及大部分工業(yè)領(lǐng)域目前最常用的全控器件，全控器件的基本應(yīng)用場(chǎng)景可以用下邊這張示意圖概括：

審核編輯：湯梓紅