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華工科技造出我國首臺核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備

MEMS ? 來源:MEMS ? 2023-07-14 16:33 ? 次閱讀
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手機電腦、汽車等產(chǎn)品的芯片,離不開半導(dǎo)體。晶圓就如同半導(dǎo)體的母體,其生產(chǎn)制造的精度,將直接影響半導(dǎo)體芯片的性能,而激光作為加工工具,對于確保半導(dǎo)體芯片的性能起著至關(guān)重要的作用。

華工激光半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹,近期,該公司制造出我國首臺核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備,在半導(dǎo)體激光設(shè)備領(lǐng)域攻克多項中國第一。

“半導(dǎo)體晶圓屬于硬脆材料,在一個12英寸的晶圓上有數(shù)千顆甚至數(shù)萬顆芯片,晶圓切割和芯片分離無論采取機械或激光方式,都會因物質(zhì)接觸和高速運動而產(chǎn)生熱影響和崩邊,從而影響芯片性能,因此,控制熱影響的擴散范圍和崩邊尺寸是關(guān)鍵。”

黃偉說,機械切割的熱影響和崩邊寬度約20微米,傳統(tǒng)激光在10微米左右;此外,切割線寬的減少,意味著晶圓能做到更高的集成度,從而使得半導(dǎo)體制造更經(jīng)濟、更有效率。

去年起,黃偉團隊對半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù),展開微納米級激光加工的迭代升級、攻堅突破,“最忙時我們團隊20多人兩班倒輪流做測試實驗和產(chǎn)品優(yōu)化,設(shè)備24小時不停。”

經(jīng)過一年努力,半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)成功實現(xiàn)升級,熱影響降為0,崩邊尺寸降至5微米以內(nèi),切割線寬可做到10微米以內(nèi)。

按照生產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲備一代的理念,華工激光正在研發(fā)具備行業(yè)領(lǐng)先水平的第三代半導(dǎo)體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備,計劃今年7月推出新產(chǎn)品,同時也正在開發(fā)我國自主知識產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體晶圓激光退火設(shè)備。

“發(fā)展無止境,突破無止境。”黃偉說,激光技術(shù)的應(yīng)用是沒有邊界的,有很多未知的領(lǐng)域,需要大膽探索,“我們有信心讓中國的激光裝備在更多的細(xì)分領(lǐng)域達(dá)到國際領(lǐng)先水平。”

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原文標(biāo)題:華工科技造出我國首臺核心部件100%國產(chǎn)化的高端晶圓激光切割設(shè)備

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