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構(gòu)建高密度數(shù)字輸入(DI)和數(shù)字輸出(DO)模塊時(shí)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

jf_pJlTbmA9 ? 來源:jf_pJlTbmA9 ? 作者:jf_pJlTbmA9 ? 2023-07-13 16:56 ? 次閱讀

當(dāng)工業(yè)4.0浪潮席卷而來,智能傳感器在工廠環(huán)境中日益普及。廣泛使用的傳感器正帶來一個(gè)重要變化,即要在舊款控制器內(nèi)處理大量IO,包括數(shù)字IO或模擬IO。由此,構(gòu)建可控尺寸和熱量的高密度IO模塊成為關(guān)鍵。本文中ADI將重點(diǎn)介紹數(shù)字IO。

通常,PLC中的數(shù)字IO由分立式器件,例如電阻/電容或有獨(dú)立FET驅(qū)動(dòng)組成。為了盡可能減小控制器的尺寸,并且要求能夠處理2到4倍的通道數(shù),這些都促使從分立式方案向集成式方案轉(zhuǎn)變。

此外,分立式方法存在諸多缺點(diǎn),尤其是每個(gè)模塊處理的通道數(shù)達(dá)到8個(gè)或以上的情況。實(shí)際上,只要提到高熱量/功耗、數(shù)量龐大的分立式組件(從尺寸和平均故障間隔時(shí)間(MTBF)角度),以及需要可靠的系統(tǒng)規(guī)格時(shí),都足以說明分立式方法并不可行。

圖1顯示在構(gòu)建高密度數(shù)字輸入(DI)和數(shù)字輸出(DO)模塊時(shí)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)。在DI和DO系統(tǒng)中,都需要考慮尺寸和散熱問題。

1660205091121654.png

圖1.數(shù)字輸入和輸出模塊的考量因素

對(duì)于數(shù)字輸入,還需注意它支持不同的輸入類型,包括1/2/3類型的輸入,以及在某些情況下,支持24V和48V輸入。在所有情況下,可靠的工作特性都非常重要,甚至斷路檢測(cè)也至關(guān)重要。

對(duì)于數(shù)字輸出,系統(tǒng)使用不同的FET配置來驅(qū)動(dòng)負(fù)載。驅(qū)動(dòng)電流的精度通常是一個(gè)重要的考量因素。在許多情況下,診斷也必須考量。

下面將探討集成解決方案如何幫助解決其中一些挑戰(zhàn)。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸入模塊

傳統(tǒng)的分立式設(shè)計(jì)使用電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)將24V/48V信號(hào)轉(zhuǎn)換為微控制器可以使用的信號(hào)。前端也可以使用分立式RC濾波器。如果需要隔離,有時(shí)會(huì)使用外部光耦合器。

圖2顯示構(gòu)建數(shù)字輸入電路的一種典型的分立式方法。

1660205083684419.png

圖2.采用分立式邏輯的傳統(tǒng)數(shù)字輸入設(shè)計(jì)

這種類型的設(shè)計(jì)適合一定數(shù)量的數(shù)字輸入,即每個(gè)板4到8個(gè)。超過這個(gè)數(shù)字,這種設(shè)計(jì)很快會(huì)變得不實(shí)用。此種分立式方案會(huì)帶來各種問題,包括:

高功耗和相關(guān)的板高溫點(diǎn)。

每個(gè)通道需要一個(gè)光耦合器。

部件過多會(huì)導(dǎo)致FIT率低,甚至需要更大的器件。

更重要的是,分立式設(shè)計(jì)方法意味著輸入電流隨輸入電壓呈線性增加。假設(shè)采用一個(gè)2.2K?輸入電阻和24V VIN。當(dāng)輸入為1,例如,在24V時(shí),輸入電流為11mA,相當(dāng)于功耗為264mW。8通道模塊的功耗大于2W,32通道模塊的功耗大于8W。參見下方的圖3:

1660205070317869.png

圖3.使用分立式邏輯構(gòu)建的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功耗

單從散熱角度,這個(gè)分立式設(shè)計(jì)無法支持單個(gè)板上的多個(gè)通道。

集成式數(shù)字輸入設(shè)計(jì)的最大優(yōu)勢(shì)之一在于顯著降低功耗,從而減少散熱。大多數(shù)集成式數(shù)字輸入器件允許可配置的輸入電流限制,以顯著降低功耗。

當(dāng)限流值設(shè)置為2.6mA時(shí),功耗顯著降低,每個(gè)通道約為60mW。8通道數(shù)字輸入模塊的額定值現(xiàn)在可以設(shè)置為低于0.5瓦,如下方的圖4所示:

1660205064858040.png

圖4.使用集成式DI芯片的數(shù)字輸入模塊的預(yù)估功率節(jié)省

反對(duì)使用分立式邏輯設(shè)計(jì)的另一個(gè)原因是:有時(shí)DI模塊必須支持不同類型的輸入。IEC公布的標(biāo)準(zhǔn)24V數(shù)字輸入規(guī)格分為1型、2型和3型。1型和3型通常組合使用,因?yàn)槠潆娏骱烷撝迪拗刀挤浅O嗨啤?型具有6mA限流值,要更高一些。采用分立式方法時(shí),可能需要重新設(shè)計(jì),因?yàn)榇蟛糠址至⒅刀夹枰隆?/p>

集成式數(shù)字輸入產(chǎn)品通常支持所有這三種類型。從本質(zhì)看,1型和3型一般受到集成式數(shù)字輸入器件支持。但是,為了滿足2型輸入最低6mA的電流要求,需要針對(duì)一個(gè)現(xiàn)場輸入并聯(lián)使用兩個(gè)通道。而且只調(diào)節(jié)限流值電阻。這需要進(jìn)行電路板變更,但變更很小。

例如,當(dāng)前ADI的DI器件限流值為3.5mA/通道。所以,如圖所示,當(dāng)并聯(lián)使用兩個(gè)通道,如果系統(tǒng)必須接入2型輸入,則需調(diào)節(jié)REFDI電阻和RIN電阻。對(duì)于一些較新的部件,也可以使用引腳或通過軟件來選擇電流值。

1660205037378495.png

圖5.并聯(lián)使用2個(gè)通道來支持2型數(shù)字輸入

要支持48V數(shù)字輸入信號(hào)(不是常見要求),需要使用類似流程,必須添加一個(gè)外部電阻來調(diào)節(jié)現(xiàn)場一端的電壓閾值。設(shè)置此外部電阻的值,使得引腳的“限流值*R+閾值”,需滿足現(xiàn)場一端的電壓閾值規(guī)范(參見器件數(shù)據(jù)手冊(cè))。

最后,由于數(shù)字輸入模塊與傳感器連接,因此設(shè)計(jì)必須符合可靠的工作特性要求。當(dāng)使用分立式方案時(shí),必須仔細(xì)設(shè)計(jì)這些保護(hù)功能。選擇集成式數(shù)字輸入器件時(shí),確保根據(jù)行業(yè)規(guī)范確定以下各項(xiàng):

寬輸入電壓范圍(例如,高達(dá)40V)。

能夠使用現(xiàn)場電源(7V至65V)。

能夠承受高ESD(±15kV ESD氣隙)和浪涌(一般為1KV)。

提供過電壓和過溫診斷也非常有用,以便MCU采取合適的操作。

設(shè)計(jì)高通道密度數(shù)字輸出模塊

典型的分立式數(shù)字輸出設(shè)計(jì)具有一個(gè)帶驅(qū)動(dòng)電路的FET,由微控制器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)??梢允褂貌煌姆椒▉砼渲肍ET,以驅(qū)動(dòng)微控制器。

高端負(fù)載開關(guān)的定義是:它由外部使能信號(hào)控制,并連接或斷開電源與給定負(fù)載的連接。與低端負(fù)載開關(guān)相比,高端開關(guān)為負(fù)載提供電流,而低端開關(guān)連接或斷開負(fù)載的接地連接,從負(fù)載獲取電流。雖然它們都使用單個(gè)FET,但低端開關(guān)的問題在于:負(fù)載與接地之間可能短路。高端開關(guān)保護(hù)負(fù)載,防止接地短路。但是低端開關(guān)的實(shí)現(xiàn)成本更低。有時(shí),輸出驅(qū)動(dòng)器也配置為推挽開關(guān),需要兩個(gè)MOSFET。參見下方的圖6:

1660205017776518.png

圖6.數(shù)字輸出驅(qū)動(dòng)器使用的不同配置

集成式DO器件可以將多個(gè)DO通道集成到單個(gè)器件中。由于高端、低端和推挽開關(guān)使用的FET配置不同,因此可使用不同的器件來實(shí)現(xiàn)每種類型的輸出驅(qū)動(dòng)器。

感性負(fù)載的內(nèi)置消磁

集成式數(shù)字輸出器件的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)之一是器件本身內(nèi)置感性負(fù)載消磁功能。

感性負(fù)載是任何包含線圈的器件,在通電后,通常執(zhí)行一些機(jī)械工作,例如電磁閥、電機(jī)和執(zhí)行器。電流引起的磁場可以移動(dòng)繼電器或接觸器中的開關(guān)觸點(diǎn),以操作電磁閥,或旋轉(zhuǎn)電機(jī)的軸。大多數(shù)情況下,工程師使用高端開關(guān)來控制感性負(fù)載,挑戰(zhàn)在于,當(dāng)開關(guān)打開,電流不再流入負(fù)載時(shí),如何給電感放電。不當(dāng)放電導(dǎo)致的負(fù)面影響包括:繼電器觸點(diǎn)可能拉弧、很大的負(fù)電壓尖峰損壞敏感型IC,以及產(chǎn)生高頻噪聲或EMI,進(jìn)而影響系統(tǒng)性能。

在分立式方案中,對(duì)感性負(fù)載進(jìn)行放電的最常見解決方案就是使用續(xù)流二極管。在本電路中,當(dāng)開關(guān)閉合時(shí),二極管被反向偏置且不導(dǎo)電。當(dāng)開關(guān)打開時(shí),通過電感的負(fù)電源電壓會(huì)使二極管正向偏置,從而通過引導(dǎo)電流通過二極管的方式使存儲(chǔ)能量衰減,直至達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)且電流為零。

對(duì)于許多應(yīng)用,特別是工業(yè)行業(yè)中每個(gè)IO卡具有多個(gè)輸出通道的應(yīng)用,該二極管通常尺寸很大,會(huì)導(dǎo)致成本和設(shè)計(jì)尺寸大幅增加。

現(xiàn)代數(shù)字輸出器件使用一種主動(dòng)箝位電路在器件內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一功能。例如,ADI采用一項(xiàng)已獲專利的安全消磁(SafeDemagTM)功能,允許數(shù)字輸出器件在不受電感限制的情況下安全關(guān)閉負(fù)載。如需更多詳情,請(qǐng)點(diǎn)此訪問網(wǎng)站查看應(yīng)用筆記。

在選擇數(shù)字輸出器件時(shí),需要考慮多個(gè)重要因素。應(yīng)仔細(xì)考慮數(shù)據(jù)手冊(cè)中的以下規(guī)格:

查看最大連續(xù)電流額定值,并確保在需要時(shí)可以并聯(lián)多個(gè)輸出,以獲得更高電流的驅(qū)動(dòng)器。

確保輸出器件能驅(qū)動(dòng)多個(gè)高電流通道(超過溫度范圍)。參考數(shù)據(jù)手冊(cè),確保導(dǎo)通電阻、電源電流和熱電阻值盡可能低。

輸出電流驅(qū)動(dòng)精度規(guī)格也很重要。

要從一些超出范圍的工作條件下恢復(fù),診斷信息就非常重要。首先,希望獲取每個(gè)輸出通道的診斷信息。其中包括溫度、過電流、開路和短路。從整體(芯片)來看,重要診斷包括熱關(guān)斷、VDD欠壓和SPI診斷。在集成式數(shù)字輸出器件中查找部分或所有這些診斷。

編程數(shù)字輸入/輸出器件

通過在IC上集成DI和DO,就能構(gòu)建可配置產(chǎn)品。這是一個(gè)4通道產(chǎn)品示例,可以配置為輸入或輸出。

1660205003573352.png

圖7.4通道實(shí)現(xiàn)方案的可配置DI/DO產(chǎn)品

它有一個(gè)DIO內(nèi)核,這意味著可以在高端或推挽模式下將單個(gè)通道配置為DI(1/3型或2型)或數(shù)字輸出。DO上的限流值可以設(shè)置為130mA至1.2A。內(nèi)置消磁功能。要在1/3型或2型數(shù)字輸入之間切換,則只需設(shè)置一個(gè)引腳,無需使用外部電阻。

這些器件不僅易于配置,而且堅(jiān)固耐用,可在工業(yè)環(huán)境中工作。這意味著高ESD,提供高達(dá)60V的電源電壓保護(hù)和線路接地浪涌保護(hù)。

由此可見,這是一個(gè)可通過集成式方法來實(shí)現(xiàn)更多可能(可配置的DI/DO模塊)的示例。

結(jié)論

當(dāng)設(shè)計(jì)高密度數(shù)字輸入或輸出模塊時(shí),一旦通道密度超過一定數(shù)量,分立式方案就變得毫無意義。從散熱、可靠性和尺寸方面考慮,必須仔細(xì)考慮集成式器件選項(xiàng)。

而在選擇集成式DI或DO器件時(shí),則必須注意一些重要的數(shù)據(jù)要點(diǎn),包括可靠的工作特性、診斷、支持多種輸入-輸出配置。

責(zé)任編輯:彭菁

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