6月26-27日，由NE時代主辦的2023第三屆全球xEV驅動系統技術暨產業大會在上海嘉定如期召開。本次大會圍繞“雙循環 · 新格局”的主題，重點聚焦國內外新能源汽車行業發展業態。大會吸引了來自新能源汽車電驅動整車廠、驅動系統產業鏈、相關材料、設備、測試等上下游應用廠商，以及行業機構、科研院校、園區等的近千名嘉賓參與。業界大咖齊聚一堂，就“電驅產業‘雙循環，新格局’ ”、“電驅動系統和關鍵部件技術”、“電機控制和關鍵器件技術”、“驅動電機新技術和新工藝”等話題展開熱烈討論。

派恩杰半導體受邀并攜公司650V-1700V碳化硅器件及功率模塊亮相，引起與會技術專家和客戶的廣泛關注。憑借國際領先的技術水平和卓越的性能表現，贏得業內專家和客戶的一致認可和高度贊譽。

HPD 封裝SiC模塊

派恩杰1200V/400A SiC 模塊PAAC12400CM，采用Press-fit技術與驅動板進行連接，使得裝配過程更加可靠，派恩杰HPD封裝SiC模塊最大持續工作電流為400A，采用Pin-Fin結構利用水道進行散熱，顯著提高功率模塊散熱效率，提高模塊的功率密度。派恩杰HPD模塊專門為800V電機驅動系統開發，滿足車規級要求。

同時，派恩杰設計專用模塊測試評估板對模塊進行動態參數設計，通過外部控制信號對模塊進行雙脈沖測試，驅動能力高達±30A，該評估板可直接壓接在HPD封裝模塊上，板子尺寸為168mm*93mm，六路獨立的驅動電源和驅動芯片可以輕松驅動PAAC12400CM。

作為一家主營車規級碳化硅功率器件的半導體公司，派恩杰致力于為客戶提供穩定可靠的產品，并提供優質的服務。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通過AEC-Q101車規級測試認證外，還進行多個內外部測試。

例如SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究，1000h的AC BTI試驗Rdson變化率結果顯示，派恩杰測試器件的Rdson變化率均小于1%，且不隨時間推移變化，性能穩定，幾乎達到硅MOSFET可靠性水平。

馬拉松性能測試，派恩杰的P3M12080K3產品在柵壓條件Vgs = 25V，環境溫度175℃的條件下，能夠很好地消除SiC材料的失效風險，PPM為個位數，與國際競品廠商論文及報告中的器件可靠性接近。這也意味著派恩杰產品不僅能通過嚴苛的車規測試，也可以很好地適用于新能源和光伏等領域。

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告，在Vgs=-5V，Isd=5A的測試條件下，殼溫達到130℃左右，P3M12080K3體二極管經過1000h直流可靠性測試，器件的性能退化均比較小，器件參數變化率遠低于20%的失效標準。

展會精彩瞬間

派恩杰半導體始終堅持自主研發，致力于推動碳化硅器件國產替代。截至目前，派恩杰半導體量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為各個應用領域頭部客戶持續穩定供貨并廣受好評。面向未來，派恩杰期待以領先的技術以及對行業的深刻理解為客戶帶來質量穩定和安全可靠的功率芯片，為實現低碳節能、綠色可持續發展做出貢獻。

第三代寬禁帶半導體材料前沿技術探討交流平臺，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術發展趨勢。所有內容都是SiC/GaN功率器件供應商派恩杰半導體創始人黃興博士和派恩杰工程師原創。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監

美國北卡州立大學博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會員，美國科學院院士，IGBT發明者，奧巴馬授予國家技術創新獎章）與Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發射極關斷晶閘管（ETO）的發明者）。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經驗，在世界頂尖碳化硅實驗室參與美國自然科學基金委FREEDM項目、美國能源部Power America項目，曾任職于Qorvo Inc.、聯合碳化硅。2018年成立派恩杰半導體，立志于幫助中國建立成熟的功率器件產業鏈。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。