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派恩杰亮相上海SNEC光伏展,展示碳化硅功率器件

派恩杰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:派恩杰半導(dǎo)體 ? 2024-06-18 15:04 ? 次閱讀
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6月13日-6月15日,SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“SNEC光伏展”)于上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。本次展會(huì),碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體如約參展,攜SiC功率器件、芯片設(shè)計(jì)路線以及1700V高壓器件應(yīng)用方案與大家在上海見面,為工業(yè)應(yīng)用以及新能源車用方案等提供了一個(gè)新的方向。

展會(huì)期間,蒞臨派恩杰8.1H C650展位咨詢的客戶絡(luò)繹不絕,紛紛對(duì)派恩杰最新技術(shù)的產(chǎn)品以及可靠封裝模塊表現(xiàn)出濃厚的興趣,并與派恩杰建立了合作聯(lián)系。

不僅是碳化硅模塊產(chǎn)品,派恩杰半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)Roadmap以及1700V高壓器件應(yīng)用方案在展會(huì)上同樣引起了不少的關(guān)注及問詢,在展會(huì)上大放異彩。

碳化硅模塊

派恩杰作為一家專注于MOSFET及碳化硅功率模塊的研發(fā)型公司,自2022年派恩杰第一款62mm模塊下線開始,注重模塊應(yīng)用的高質(zhì)量生產(chǎn)和卓越的設(shè)計(jì)開發(fā)技術(shù),探索前沿工藝能力,陸續(xù)推出了Easy1B系列模塊、HPD、HEPACK、TPAK、SOT227等產(chǎn)品。

新能源行業(yè)朝氣蓬勃,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在成為全球集成電路行業(yè)發(fā)展的重要?jiǎng)恿?。功率半?dǎo)體作為單車成本最高的半導(dǎo)體之一,也是國(guó)內(nèi)企業(yè)現(xiàn)階段最有可能實(shí)現(xiàn)突破的半導(dǎo)體領(lǐng)域,而碳化硅已毋庸置疑地成為了主要突破點(diǎn)。

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展,碳化硅功率器件的應(yīng)用將會(huì)越來(lái)越廣泛,成為電力電子領(lǐng)域的重要支撐。

半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)Roadmap

派恩杰半導(dǎo)體專注于第三代半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與推廣,擁有深厚的技術(shù)積累和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)。其中,派恩杰半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET的設(shè)計(jì)水平處于行業(yè)前列,關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)HDFM全球領(lǐng)先。派恩杰半導(dǎo)體在650V,1200V,1700V三個(gè)電壓平臺(tái)已發(fā)布100余款不同型號(hào)的碳化硅二極管,碳化硅MOSFET,碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品,能夠?yàn)榭蛻籼峁┤轿坏倪x擇和技術(shù)支持。派恩杰半導(dǎo)體的量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動(dòng)汽車,IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用,為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨,且產(chǎn)品質(zhì)量與供應(yīng)能力得到客戶的廣泛認(rèn)可。

1700V高壓器件應(yīng)用方案

對(duì)于高功率以及高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁以及UPS等,在這些應(yīng)用場(chǎng)合中母線電壓高達(dá)上千伏,SiC MOSFET高壓特性可以使用單管反激拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換,使用1700V器件擁有以下優(yōu)良特性。

派恩杰應(yīng)用此高壓器件開發(fā)了基于UCC28740準(zhǔn)諧振反激以及基于UCC28C45非準(zhǔn)諧振應(yīng)用方案,兩種方案都能同時(shí)滿足高效率高功率要求,兼具貼片以及插件器件封裝。

此次上海光伏展,派恩杰不僅鞏固了與老客戶之間更深入的合作,同時(shí)與更多SiC新客戶建立了新的光伏合作。未來(lái),派恩杰仍會(huì)不斷提升技術(shù)研發(fā)能力、增加合規(guī)產(chǎn)品產(chǎn)量并擴(kuò)大產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,期待下次攜帶更多新產(chǎn)品與應(yīng)用方案與大家見面!

派恩杰致力于碳化硅功率器件國(guó)產(chǎn)替代,專注于技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)。我們將持續(xù)為新能源賽道賦能,助力客戶步履更穩(wěn),行得更遠(yuǎn)。未來(lái)我們也希望能夠和業(yè)內(nèi)更多同仁進(jìn)行多方位的技術(shù)交流并保持友好合作。敬請(qǐng)期待!

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術(shù)總監(jiān)

師承IGBT發(fā)明者Dr. B.Jayant Baliga與發(fā)射極關(guān)斷晶閘管發(fā)明者Dr.Alex Q.Huang。2018年創(chuàng)建派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司,領(lǐng)導(dǎo)派恩杰成為全球第一家量產(chǎn)元胞尺寸小于5μm的平面柵碳化硅MOSFET供應(yīng)商,獲得國(guó)際新能源龍頭企業(yè)認(rèn)可并收獲直供訂單,完成數(shù)億元融資。黃興博士著有10余篇科技論文,超350次引用,并擁有40余項(xiàng)專利,是碳化硅研發(fā)及應(yīng)用領(lǐng)域的資深專家。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一,參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件,其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1,其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:派恩杰亮相上海SNEC光伏展 | 深化碳化硅功率器件影響

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