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方案分享 I 國網(wǎng)新規(guī)下電力DTU最小系統(tǒng)核心板設(shè)計(jì)

先楫半導(dǎo)體HPMicro ? 2023-05-31 16:56 ? 次閱讀

根據(jù)國家能源局2020年能源領(lǐng)域行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂計(jì)劃,中國電力科學(xué)研究院有限公司牽頭起草了《12kV一二次融合成套柱上開關(guān)》、《12kV一二次融合成套環(huán)網(wǎng)箱》兩項(xiàng)電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。2021年6月中國電科院配電技術(shù)中心組織30余家配電開關(guān)及配電終端主流生產(chǎn)企業(yè)開啟了兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行。

在過去的二年,新規(guī)不斷應(yīng)用在設(shè)備端口。標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定DTU采用雙核設(shè)計(jì),區(qū)分實(shí)時(shí)核和管理核。實(shí)時(shí)核需要MCU保證完成保護(hù)和高速采樣,管理核需要高性能處理器實(shí)現(xiàn)狀態(tài)檢測(cè)數(shù)據(jù)接收和分析及通信。硬件接口規(guī)定3路以太網(wǎng)、多路串口、4G通信、國密加密芯片、北斗定位對(duì)時(shí)等。

基于市場(chǎng)以及龐大的電力客戶群體的需求,北京遠(yuǎn)大創(chuàng)新科技有限公司與上海先楫半導(dǎo)體科技有限公司通力配合用國產(chǎn)高性能RISC-V內(nèi)核MCU設(shè)計(jì)了一款DTU/FTU最小系統(tǒng)核心板。客戶可以根據(jù)國網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)固定外部設(shè)計(jì),還能擴(kuò)展自定義功能。

電網(wǎng)自動(dòng)化系統(tǒng)一般由以下部分組成:配電主站、配電子站(常設(shè)在變電站內(nèi),可選配)、配電遠(yuǎn)方終端(FTU、DTU等)和通信網(wǎng)絡(luò)。配電主站位于城市調(diào)度中心,配電子站部署于110kV/35kV變電站,子站負(fù)責(zé)與所轄區(qū)域DTU/FTU等電力終端設(shè)備通信,主站負(fù)責(zé)與各個(gè)子站之間通信。

如下是最小系統(tǒng)板框圖:

1c844d12-fb5b-11ed-ba01-dac502259ad0.jpg

考慮到系統(tǒng)的秒級(jí)響應(yīng)要求、電網(wǎng)對(duì)自主可控的要求等因素,設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)選用先楫半導(dǎo)體(HPMICRO)的高性能MCU HPM6750IVM。該MCU為BGA289封裝,多達(dá)195個(gè)GPIO;2M的SRAM,靈活可選容量的外掛FLASH;內(nèi)部DSP單元,支持SIMD和DSP指令;RISC-V雙內(nèi)核完全自主可控,主頻816M,創(chuàng)下了高達(dá)9220CoreMark和高達(dá)4651DMIPS的MCU性能記錄。芯片工作溫度在-40℃~105℃,滿足電力行業(yè)苛刻工作環(huán)境。

雙千兆以太網(wǎng):根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求,擴(kuò)展了一路SPI轉(zhuǎn)以太網(wǎng)接口

USB接口:支持?jǐn)U展網(wǎng)口與外掛4G

17路串口:滿足串口通信需求

4路高速SPI:支持外掛加密芯片、ADC芯片、SPI轉(zhuǎn)以太網(wǎng)芯片

4路IIC:支持外掛實(shí)時(shí)時(shí)鐘、溫濕度傳感器

1個(gè)16bit ADC和3個(gè)12bit ADC:支持模擬量的采集

核心板配套的FTU/DTU示例程序包含rt-thread操作系統(tǒng)、Lwip網(wǎng)絡(luò)協(xié)議棧、flash文件系統(tǒng)、本地?cái)?shù)據(jù)庫、相應(yīng)外設(shè)驅(qū)動(dòng)示例,能極大的幫助客戶簡化開發(fā)。

同時(shí)該方案還有硬件完全兼容的HPM6450IVM單核版本,可以靈活適應(yīng)各種電力的高低端應(yīng)用場(chǎng)景。支持FreeRTOS、RT-Thread,并適配了輕量級(jí)的鴻蒙系統(tǒng)

國際形勢(shì)風(fēng)云莫測(cè)、貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈,電網(wǎng)安全和穩(wěn)定至關(guān)重要,廣大電力設(shè)備制造商對(duì)國產(chǎn)自主可控替代需求越來越強(qiáng)烈。先楫半導(dǎo)體高性能MCU HPM6000 系列產(chǎn)品,支持單核雙核RISC-V架構(gòu),憑借其高算力、高可靠性、低功耗、高集成性等優(yōu)勢(shì)特點(diǎn),可滿足電網(wǎng)配變電終端新標(biāo)準(zhǔn)要求,可用于高壓配電FTU/TTU/DTU三合一統(tǒng)一平臺(tái)應(yīng)用,進(jìn)一步拓展電力能源領(lǐng)域市場(chǎng)。

目前,HPM6000系列高性能通用MCU的多款型號(hào)已應(yīng)用于儲(chǔ)能BMS、PCS、智能斷路器、繼電保護(hù)裝置、數(shù)據(jù)采集終端、電力網(wǎng)關(guān)及充電樁等多個(gè)電力能源產(chǎn)品,并獲得行業(yè)客戶廣泛認(rèn)可。先楫半導(dǎo)體將再接再厲,攜手合作伙伴繼續(xù)開發(fā)更多的優(yōu)質(zhì)方案,并推出更多高性能MCU產(chǎn)品,為電力行業(yè)的國產(chǎn)化貢獻(xiàn)自己的力量。

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