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國芯思辰|基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機,工作結溫-55~175℃

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-11-09 11:28 ? 次閱讀

氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機,原理類似傳統內燃機,經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程,帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備,具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高,但傳統的功率MOS已經很難滿足發電機高開關頻率的要求,而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。

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某氫能發電機項目現需要一漏源電壓1200V,電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M032120HK,推薦理由:

1、該器件耐壓可達1200V,在Tc=100℃時,最大ID可達84A,完全滿足項目需求。

2、導通電阻低至32mΩ,可以確保B1M032120HK在高頻工作時,導通損耗很低,可以降低MOS的發熱量。

3、B1M032120HK的工作結溫范圍在-55~175℃,可以在很惡劣的條件環境下穩定運行。

4、B1M032120HK為TO-247-4封裝,可替代科銳的C3M0032120K、羅姆的SCT3040KR、英飛凌的IMZ120R045M1、安森美的NTH4L040N120SC1。

5、基本半導體為國產品牌,性價比相比其它更有優勢。

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