女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國(guó)芯思辰|基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS電源高效化,導(dǎo)通電阻32mΩ

國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-10-31 11:50 ? 次閱讀

UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源,其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器,然而傳統(tǒng)的功率MOS(超級(jí)結(jié)MOS和COOLMOS)已經(jīng)很難滿足電源高開關(guān)頻率的需求,國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK可以很好的滿足這一應(yīng)用。

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1031%2F1244c4caj00rkljaz001ec000k00084m.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

LLC諧振變換器的典型電路圖

如圖是UPS電源LLC諧振變換器的典型電路圖,其輸入電壓一般以AC220V或者380V為主。以15KW-20KW功率的UPS電源為例,開關(guān)頻率要求在100KHz以上,同時(shí)母線最高電壓可達(dá)450-600V,原邊功率管Q1和Q2上的電流最大在40A-50A左右,傳統(tǒng)的功率MOS電流電壓上很難做到兼容,可選擇少,此時(shí)大電流高壓的碳化硅MOS便是最佳選擇。

針對(duì)這一應(yīng)用需求,這里提到基本半導(dǎo)體的大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK,其應(yīng)用優(yōu)勢(shì)如下:

1、耐壓高,電流大,1200V的耐壓可以確保碳化硅MOS在UPS電源輸入電壓波動(dòng)時(shí)不易被損壞,同時(shí)在Tc=100℃時(shí),最大ID可達(dá)84A,用于15KW的UPS電源,電流裕量也很充足;

2、導(dǎo)通電阻低,其典型值32mΩ,這樣就可以確保在高頻100KHz工作時(shí),導(dǎo)通損耗能做到很低,大大降低管子的發(fā)熱量;

3、集成快恢復(fù)體二極管,其內(nèi)部體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間僅27ns,用于UPS電源的LLC拓?fù)渲校瑩p耗進(jìn)一步降低;

4、采用TO-247-4L封裝,增加開爾文引腳,降低驅(qū)動(dòng)布線帶來的雜散電感和電容,大大提高電路工作的可靠性;

5、基本半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS,相對(duì)于進(jìn)口器件優(yōu)勢(shì)明顯,是國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目的最佳選擇。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 基本半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    81

    瀏覽量

    10615
  • 國(guó)芯思辰
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    1184

    瀏覽量

    1694
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    深度分析650V國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

    深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 11:15 ?133次閱讀
    深度分析650V國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的產(chǎn)品力及替代<b class='flag-5'>高壓</b>GaN器件的潛力

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷商,聚焦新能源、交通電動(dòng)、數(shù)字
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?152次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級(jí)代
    的頭像 發(fā)表于 05-03 10:45 ?149次閱讀
    基于國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC MOSFET的<b class='flag-5'>高效</b>熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長(zhǎng)期損害終
    的頭像 發(fā)表于 03-17 16:40 ?304次閱讀
    國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET“最低比<b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>”宣傳噱頭背后隱藏的真相

    電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

    近日,瞻電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景,提
    的頭像 發(fā)表于 03-11 15:22 ?574次閱讀
    瞻<b class='flag-5'>芯</b>電子推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>半橋功率模塊IV<b class='flag-5'>1B</b>12009HA2L

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)?b class='flag-5'>高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,以其優(yōu)越的性能在功率電子領(lǐng)域中嶄露頭角
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?594次閱讀

    5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

    傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì),并做損耗仿真計(jì)算: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-10 09:37 ?326次閱讀
    5G<b class='flag-5'>電源</b>應(yīng)用<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>B3M</b>040065Z替代超結(jié)MOSFET

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1040次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅(SiC)是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:06 ?1100次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲

    隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為寬禁帶
    的頭像 發(fā)表于 01-21 16:39 ?378次閱讀
    革新<b class='flag-5'>電源</b>體驗(yàn)!基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>Pcore?2 E2<b class='flag-5'>B</b>工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>碳化硅</b>半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?816次閱讀

    銳駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)

    銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品,型號(hào)分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V
    發(fā)表于 10-14 09:40

    IPAC直播間 | CoolSiC?碳化硅直播季-高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計(jì)

    英飛凌IPAC直播間|CoolSiC碳化硅直播季第二期將為大家介紹兩款將在7月正式發(fā)布的3300V高壓SiC產(chǎn)品組合系列,一是漏極-源極導(dǎo)通電阻2.0
    的頭像 發(fā)表于 06-21 08:14 ?474次閱讀
    IPAC直播間 | CoolSiC?<b class='flag-5'>碳化硅</b>直播季-<b class='flag-5'>高壓</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>的應(yīng)用設(shè)計(jì)