UPS電源作為日常生活中的應(yīng)急備用電源,其效率要求也逐漸提高。UPS電源內(nèi)部主電路拓?fù)涠嗖捎肔LC諧振變換器,然而傳統(tǒng)的功率MOS(超級(jí)結(jié)MOS和COOLMOS)已經(jīng)很難滿足電源高開關(guān)頻率的需求,國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK可以很好的滿足這一應(yīng)用。

LLC諧振變換器的典型電路圖
如圖是UPS電源LLC諧振變換器的典型電路圖,其輸入電壓一般以AC220V或者380V為主。以15KW-20KW功率的UPS電源為例,開關(guān)頻率要求在100KHz以上,同時(shí)母線最高電壓可達(dá)450-600V,原邊功率管Q1和Q2上的電流最大在40A-50A左右,傳統(tǒng)的功率MOS電流電壓上很難做到兼容,可選擇少,此時(shí)大電流高壓的碳化硅MOS便是最佳選擇。
針對(duì)這一應(yīng)用需求,這里提到基本半導(dǎo)體的大電流高壓碳化硅MOS B1M032120HK,其應(yīng)用優(yōu)勢(shì)如下:
1、耐壓高,電流大,1200V的耐壓可以確保碳化硅MOS在UPS電源輸入電壓波動(dòng)時(shí)不易被損壞,同時(shí)在Tc=100℃時(shí),最大ID可達(dá)84A,用于15KW的UPS電源,電流裕量也很充足;
2、導(dǎo)通電阻低,其典型值32mΩ,這樣就可以確保在高頻100KHz工作時(shí),導(dǎo)通損耗能做到很低,大大降低管子的發(fā)熱量;
3、集成快恢復(fù)體二極管,其內(nèi)部體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間僅27ns,用于UPS電源的LLC拓?fù)渲校瑩p耗進(jìn)一步降低;
4、采用TO-247-4L封裝,增加開爾文引腳,降低驅(qū)動(dòng)布線帶來的雜散電感和電容,大大提高電路工作的可靠性;
5、基本半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS,相對(duì)于進(jìn)口器件優(yōu)勢(shì)明顯,是國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目的最佳選擇。
注:如涉及作品版權(quán)問題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。
-
基本半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
81瀏覽量
10615 -
國(guó)芯思辰
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1184瀏覽量
1694
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深度分析650V國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相

瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)有哪些
5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用
碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
碳化硅在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展
銳駿新款超低導(dǎo)通MOSRUH4040M、80M更適用于新產(chǎn)品研發(fā)
IPAC直播間 | CoolSiC?碳化硅直播季-高壓碳化硅的應(yīng)用設(shè)計(jì)

評(píng)論