驅(qū)動半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的動力是什么？是人們對自然學(xué)習(xí)語言、人工智能、自動駕駛、視頻監(jiān)控、增強/虛擬現(xiàn)實、5G通信、個人醫(yī)療、可再生能源以及智能電網(wǎng)的需求。表面上看，這些需求五花八門，但透過現(xiàn)象看本質(zhì)后，我們可以驚奇地發(fā)現(xiàn)他們存在許多共同點，比如數(shù)以億計的計算能力、無線網(wǎng)絡(luò)的擴展能力、高效的能源管理能力，以及多維感知的能力。而實現(xiàn)這些系統(tǒng)級能力的基礎(chǔ)是關(guān)鍵器件的性能升級，比如處理器的堆核升頻，網(wǎng)絡(luò)的異質(zhì)互聯(lián)，以及感知層的提精降耗等等。

后摩爾時代，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨變革

根據(jù)Omdia發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)增長最快速的三個應(yīng)用領(lǐng)域分別為汽車處理、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器處理和高級移動半導(dǎo)體領(lǐng)域，預(yù)計未來5年的增長率分別為16%、12%和7%。受高速、高算力和高帶寬需求的影響，這些應(yīng)用領(lǐng)域的處理器工藝制程已經(jīng)邁向新節(jié)點，達到了市場上最先進的5-7nm級別，預(yù)計到本世紀末將達到1nm的范疇。圖 | Fab 數(shù)字制程節(jié)點快逼近1nm工藝節(jié)點的提高不僅意味著產(chǎn)品面世周期的延長，成本的指數(shù)型增長，還面臨隨著單芯片集成度不斷提高、算力越來越密集、晶圓面積不斷增大后，良率和產(chǎn)量開始走下坡的挑戰(zhàn)。有數(shù)據(jù)表明，當(dāng)單芯片晶圓面積只有10 mm2時，良率可達70%以上，而當(dāng)單芯片晶圓面積增長到360 mm2時，良率已經(jīng)降至15%左右。所以業(yè)界開始尋求降本增產(chǎn)，加速產(chǎn)品上市的方法。而以chiplet構(gòu)成的系統(tǒng)可以說是一個“超級”異構(gòu)系統(tǒng)，給傳統(tǒng)的異構(gòu)SoC增加了新的維度。業(yè)內(nèi)專家稱，采用經(jīng)過充分測試和驗證的chiplet可以大大縮短產(chǎn)品的上市時間，降低芯片的研發(fā)成本。這樣做的好處是可以根據(jù)需要利用不同的制程節(jié)點來優(yōu)化目標(biāo)設(shè)計。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，單芯片面積同為360 mm2時，采用4顆小芯片的方案良率可從上述的15%提升至37%左右。圖 | 與單片芯片相比，晶粒chiplet技術(shù)可實現(xiàn)更高的產(chǎn)量不過有一點是無論如何都避免不了的，那就是先進工藝節(jié)點下多樣的低核心電壓，以及功能堆疊下的峰值電流的增加，因此從處理器到應(yīng)用系統(tǒng)，所需的電源管理系統(tǒng)也變得愈加復(fù)雜。總結(jié)下來就是，更強大的數(shù)據(jù)處理能力將拉動更高復(fù)雜性、更高性能的電源管理市場的發(fā)展。談到電源管理，我們不得不說一說當(dāng)前火熱的汽車電子市場。隨著汽車智能網(wǎng)聯(lián)、電動化趨勢的不斷發(fā)展，汽車電子成本占比將達到整車成本的50%，包括AI芯片、MCU、傳感器、通信模塊、電池管理、DC/DC電壓轉(zhuǎn)換器、牽引電機逆變器、車載充電器，以及其他系統(tǒng)的電氣化設(shè)備等，同時需求總量正呈現(xiàn)指數(shù)型攀升趨勢。此外，隨著汽車電動化和智能化的普及，新能源汽車的持續(xù)快速放量，電動汽車中的核心部件——功率半導(dǎo)體的需求量新增巨大。然而Si材料在經(jīng)歷了70年的開發(fā)后，到達了它的材料極限，傳統(tǒng)的IGBT和HVMOS在效率和功率密度上都存在不足。此時，擁有更快切換速度、溫漂損失小、功率密度更高、集成度更高的第三代半導(dǎo)體材料制成的SiC和GaN FET被搬上了汽車電子的舞臺，并將逐漸占領(lǐng)市場。

驅(qū)動半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的動力，

正讓測試面臨挑戰(zhàn)

無論是云服務(wù)器、5G通信、人工智能還是汽車電動化智能化的發(fā)展，都會對半導(dǎo)體測試帶來挑戰(zhàn)。圖 | SoC測試示意圖比如SoC工作在多樣的低核心電壓（<1V）下，但整個系統(tǒng)的峰值電流又很高（10-100A），于是為了滿足這個趨勢的需求，業(yè)界開發(fā)出了低噪聲、高效率，被稱為負載電裝置的功率調(diào)節(jié)器。而這些器件在出廠前需要經(jīng)過更高水平的負載和過流測試，更低且更精確的導(dǎo)通電阻RDS(on)的測量。再比如電動汽車的BMS，通常單節(jié)電池的電壓范圍是3.6V-4.7V，所以其輸出和測量精度就要求在0.1mV左右。同時，在25個單元電池的監(jiān)控中，其浮地共模電壓要達到120V，以適應(yīng)在最高單元上運行高達120V的現(xiàn)代BMS設(shè)計，所以這是一種高共模電壓下的高精度電壓測量。值得一提的是，針對這些高電壓、大電流、高精度的測試，聯(lián)合儀器的源測量單元板卡UI-X6320是非常完善的。

UI-X6320是標(biāo)準(zhǔn)的3U PXI板卡，具有高精度V/I 源測功能，4個通道。所有通道都具有高精度的可編程電壓電流功能，電壓電流可以從–24V到+24V@1000mA。所有通道可以直接連到外部DUT上，連接器是25pin的D-Sub標(biāo)準(zhǔn)接口，包括4個force通道，4個sense通道和地。

UI-X6320可以用來構(gòu)建自動測試系統(tǒng)，測試效率高，可以縮減硬件測試時間，軟件集成化高， 開發(fā)容易快.基于PXI架構(gòu), UI-X6320可以和其他板卡配合使用，比如 數(shù)字化儀, RF射頻模塊，頻譜分析儀模塊，數(shù)字功能模塊等搭建混合功能測試系統(tǒng)，這種搭配使用采用的多核效率高，同時響應(yīng)快。另外Additionally, 這種模塊化，集成化多通道的功能，可以對多個器件進行并性測試，從而提高測試產(chǎn)量。

UI-X6320單張板卡，集成有電源功能，高精度源灌功能，以及讀寫快速響應(yīng)功能。這個高精度模塊可以實現(xiàn)高電壓同時電流測試，而且，在保持高精度的同時還具有高響應(yīng)速率和高采樣率，能快 速發(fā)送和快速測量，甚至可以通過波形 的方式表現(xiàn). 同時，板卡配置了繼電器，隔離效果好，有被測器件與測試板卡之間的隔離保護功能, 板卡具有remote sense功能，能夠進行測試中的校準(zhǔn)補 償，保護小信號完整性同時，減少漏電 流的產(chǎn)生，準(zhǔn)確度更高. 這些強大功能 能使得UI-X6320應(yīng)用到寬電壓需求應(yīng)用，例如研發(fā)測試，參數(shù)測試，功能測試， 量產(chǎn)測試，可以搭配測試RF，混合IC, ATE, 數(shù)據(jù)采集, 及控制系統(tǒng)等。

產(chǎn)品特點：

標(biāo)準(zhǔn)PXI總線產(chǎn)品

4通道，高精度V/Isource和measurement

支持電流源灌(四個象限）

FV/MI,FI/MV,FV/MU,FI,MI

+24V/-24V電壓量

6個可選測流量程，從5uA到1000mA

16位加壓加流精度

18位測壓測流精度

可編程鉗位電流功能

同步采集功能

繼電器關(guān)閉狀態(tài)，測試板和DUT間隔離性能好

可選外部供電

目標(biāo)應(yīng)用：

半導(dǎo)體測試

ASICstestin

ATE數(shù)字測試

LED/ 激光二極管

寫在最后

我們生活在一個有趣的時代，半導(dǎo)體技術(shù)的未來及其在我們共同的未來中將扮演的角色從未如此令人興奮。今天的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷轉(zhuǎn)型，業(yè)務(wù)增長不再由數(shù)量或單位數(shù)量驅(qū)動，而開始關(guān)聯(lián)更多的復(fù)雜性和終端市場層面的多種技術(shù)集成。這些新興因素對未來的設(shè)計和制造設(shè)備提出了一系列新的挑戰(zhàn)，比如云、AI處理器、邊緣處理器、有線電源轉(zhuǎn)換和電信基礎(chǔ)設(shè)施的新生和變化，而正是這些變化讓我們保持在陡峭的學(xué)習(xí)曲線上。漢通達團隊希望與您一同踏上這段有趣的成長旅程，當(dāng)您遇到測試挑戰(zhàn)時，歡迎聯(lián)系漢通達，在合作中實現(xiàn)共贏。