MT29F2G08ABAEAWP:E 供應商MT29F2G08ABAEAWP:E 怎么訂貨 MT29F2G08ABAEAWP:E價格
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SLC NAND Flash 并行 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 48-Pin TSOP-I Tray

MT29F2G08ABAEAWP:E美光 NAND 閃存設備包括用于高性能 I/O 操作的異步數據接口。這些設備使用高度復用的 8 位總線 (I/Ox) 來傳輸命令、地址和數據。有五個控制信號用于實現異步數據接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。附加信號控制硬件寫保護和監視設備狀態 (R/B#)。該硬件接口創建了一個低引腳數設備，其標準引腳排列從一種密度到另一種密度保持不變，使未來無需重新設計電路板即可升級到更高密度。目標是芯片使能信號訪問的內存單元。一個目標包含一個或多個 NAND 閃存芯片。一個NAND Flash die是可以獨立執行命令和報告狀態的最小單元。一個 NAND 閃存芯片，在 ONFI 規范中，稱為邏輯單元 (LUN)。每個芯片使能信號至少有一個 NAND 閃存芯片。有關更多詳細信息，請參閱設備和陣列組織。該設備有一個內部 4 位 ECC，可以使用 GET/SET 功能或由工廠啟用（始終啟用）。
MT29F2G08ABAEAWP:E 主要特點

開放 NAND 閃存接口 (ONFI) 1.0 兼容
單層單元 (SLC) 技術
組織
頁大小 x8：2112 字節（2048 + 64 字節）
頁面大小 x16：1056 字（1024 + 32 字）
塊大小：64 頁（128K + 4K 字節）
平面大小：2 個平面 x 每個平面 1024 塊
設備大小：2Gb：2048 個塊
異步 I/O 性能
tRC/tWC：20ns (3.3V)、25ns (1.8V)
陣列性能
讀取頁面：25μs 3
程序頁面：200μs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
擦除塊：700μs（典型值）
命令集：ONFI NAND Flash 協議
高級命令集
程序頁緩存模式4
讀取頁面緩存模式4
一次性可編程 (OTP) 模式
兩平面指令4
交錯裸片 (LUN) 操作
讀取唯一 ID
塊鎖（僅限 1.8V）
內部數據移動
操作狀態字節提供軟件檢測方法
操作完成
通過/失敗條件
寫保護狀態
Ready/Busy# (R/B#) 信號提供了一種檢測操作完成的硬件方法
WP# 信號：寫保護整個設備
第一個塊（塊地址 00h）在帶有 ECC 的工廠發貨時有效。有關所需的最低 ECC，請參閱錯誤管理。
如果 PROGRAM/ERASE 周期小于 1000，則塊 0 需要 1 位 ECC
上電后需要 RESET (FFh) 作為第一個命令
上電后設備初始化的替代方法（Nand_Init）（聯系工廠）
在讀取數據的平面內支持內部數據移動操作
質量和可靠性
數據保留：10年
工作電壓范圍
VCC：2.7-3.6V
VCC：1.7–1.95V
工作溫度：
商用：0°C 至 +70°C
工業 (IT)：–40oC 至 +85oC
包裹
48 針 TSOP 類型 1，CPL2
63-ball VFBGA