預計到2026年，中國大陸的12英寸晶圓廠設備支出將達到161億美元。

近日，SEMI發(fā)布最新的《300mmFabOutlook》報告，報告稱繼2023年下降之后，明年全球用于前端設施的300毫米（12英寸）晶圓廠設備支出預計將開始連續(xù)增長，到2026年達到1190億美元的歷史新高。對高性能計算、汽車應用的強勁需求以及對內(nèi)存需求的增加將在三年期間推動設備投資支出達到兩位數(shù)。

300mm晶圓廠資本投資預測來源：SEMI

在今年預計下降18%至740億美元之后，全球300毫米晶圓廠設備支出預計將在2024年增長12%至820億美元，在2025年增長24%至1019億美元，在2026年增長17%至1188億美元。

從國家/地區(qū)的投資金額來看，預計韓國將在2026年以302億美元的投資引領全球300毫米晶圓廠設備支出，比2023年的157億美元增長近一倍。中國臺灣預計2026年將投資238億美元，高于今年的224億美元，而中國大陸是預計到2026年的支出將達到161億美元，高于2023年的149億美元。美國的設備支出預計將從今年的96億美元增長近一倍，到2026年達到188億美元。

按行業(yè)劃分，F(xiàn)oundry預計將在2026年的設備支出中領先其他領域，達到621億美元，高于2023年的446億美元，其次是存儲器，為429億美元，較2023年增長170%。模擬支出預計將從5美元增長2026年將達到62億美元。微處理器/微控制器、分立器件（主要是功率器件）和光電子領域的支出預計將在2026年下降，而邏輯投資預計將上升。

“預計的設備支出增長浪潮凸顯了對半導體的強勁長期需求，”SEMI總裁兼首席執(zhí)行官AjitManocha表示。“代工和內(nèi)存行業(yè)將在這次擴張中占據(jù)突出地位，表明廣泛的終端市場和應用對芯片的需求。”

2026年晶圓代工廠12英寸晶圓產(chǎn)能將創(chuàng)歷史新高

依據(jù)SEMI在今年3月發(fā)布的《300毫米晶圓廠展望》，全球半導體制造商預計將在2026年將300毫米晶圓廠的產(chǎn)能提高到每月960萬片晶圓(wpm)的歷史新高。在經(jīng)歷了2021年和2022年的強勁增長之后，由于內(nèi)存和邏輯設備的需求疲軟，今年300mm產(chǎn)能擴張預計將放緩。

預計在2022年至2026年預測期內(nèi)將增加300毫米晶圓廠產(chǎn)能以滿足需求增長的芯片制造商包括GlobalFoundries、華虹半導體、英飛凌、英特爾、鎧俠、美光、三星、SK海力士、中芯國際、意法半導體、德州儀器、臺積電和聯(lián)電。幾家公司計劃在2023年至2026年期間建設82個新設施和生產(chǎn)線。

從地區(qū)看，由于美國的出口管制，中國將繼續(xù)政府投資集中在成熟技術上，以引領300mm前端晶圓廠產(chǎn)能，其全球份額將從2022年的22%增加到2026年的25%，達到每月240萬片晶圓。

由于內(nèi)存市場需求疲軟，中國臺灣有望保持第三名。韓國300毫米晶圓廠的全球產(chǎn)能份額預計將從2022年的25%下滑至2026年的23%。盡管同期份額從22%略微下降至21%。而日本在全球300毫米晶圓廠產(chǎn)能中的份額預計也將從去年的13%下降至2026年的12%，隨著與其他地區(qū)的競爭加劇。

在汽車領域的強勁需求和政府投資的推動下，美洲和歐洲及中東地區(qū)的300毫米晶圓廠產(chǎn)能份額預計將從2022年增長到2026年。到2026年，美洲的全球份額預計將增長0.2%至近9%，而歐洲和中東預計其產(chǎn)能份額將從6%增加到7%，而東南亞預計同期將保持其4%的300毫米前端晶圓廠產(chǎn)能份額。

從行業(yè)來看，模擬和電源在產(chǎn)能增長方面領先于其他行業(yè)，從2022年到2026年復合年增長率為30%，其次是晶圓代工，增長率為12%，光學器件增長率為6%，內(nèi)存增長率為4%。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官AjitManocha表示：“雖然全球300mm晶圓廠產(chǎn)能擴張的步伐正在放緩，但該行業(yè)仍將重點放在增加產(chǎn)能以滿足對半導體的強勁長期需求上。晶圓代工、內(nèi)存和電力行業(yè)將成為預計2026年新紀錄產(chǎn)能增長的主要推動力。”

晶合集成：12吋晶圓產(chǎn)能已達11萬片/月

近日，晶合集成公開了投資者關系活動記錄表，其中提到，截至目前，晶合集成的總產(chǎn)能已達到11萬片/月，公司計劃根據(jù)市場需求進一步擴充產(chǎn)能。

投資者提問稱，“OLED、LCD的市場規(guī)模的變化對公司擴產(chǎn)計劃有何影響？”晶合集成表示，未來OLED的面板將會成為手機應用的主流，因此晶合集成布局OLED顯示驅(qū)動芯片勢在必行，公司在40nm、28nm制程均布局了OLED顯示驅(qū)動芯片的技術開發(fā)計劃。

對于市場將DDIC往40nm等更先進技術節(jié)點推進的原因，晶合集成指出，目前40nm、28nm的技術遷移主要針對于OLED的顯示驅(qū)動芯片。并非所有的DDIC都在進行技術遷移，如一些外掛式、大尺寸和觸控整合的DDIC的主流工藝水平還是在150nm至55nm之間，技術推進不會造成存貨減值。對于OLED顯示驅(qū)動芯片的技術遷移，晶合集成正在與客戶積極合作、共同推進，努力提高技術水平，擴充工藝平臺，補強公司短板。

審核編輯：劉清